• 2N5416 TO-5-3
2N5416 TO-5-3

2N5416

Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

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概要 2N5416

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 1 A 15MHz 1 W Through Hole TO-39

2N5416

主な特長

["JEDEC registered 2N5415 through 2N5416 series ", "(See part nomenclature for all available options.) ", "RoHS compliant"]

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS N
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-5-3
Transistor Polarity PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 300 V Collector- Base Voltage VCBO 350 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Maximum DC Collector Current 1 A Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 200 C
Brand Microchip Technology Continuous Collector Current 1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 15 DC Current Gain hFE Max 120
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 1
Subcategory Transistors Technology Si
Unit Weight 0.014110 oz

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2SC5876T106R

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ESD package package package

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