2SK3557-6-TB-E
15V voltage rating
在庫：6,791
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部品番号 : 2SK3557-6-TB-E
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パッケージ/ケース : SC59-3
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メーカー : Onsemi
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コンポーネントの分類 : RF FETs, MOSFETs
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日付シート : 2SK3557-6-TB-E データシート (PDF)
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Series : 2SK3557
概要 2SK3557-6-TB-E
The 2SK3557-6-TB-E TRANSISTOR is a high-performance semiconductor device designed for use in a wide range of electronic applications. With a breakdown voltage of -15V, this N-channel JFET transistor is capable of delivering reliable performance in various circuit configurations. The Zero Gate Voltage Drain Current ranges from 10mA to 20mA, ensuring optimal functionality under different operating conditions. Additionally, the Gate-Source Cutoff Voltage is specified at a maximum of -1.5V, providing precise control over the transistor's behavior
主な特長
- High Gain Bandwidth Product
- Low Distortion Amplification
- Miniaturized Packaging
- Silicon-based High-Speed Operation
- Excellent Thermal Performance
- Rapid Rise Time
応用
- Signal booster
- VHF amplifier
- Sensitivity enhancer
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SC-59-3 / CP-3 | Case Outline | 318BJ |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
| ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
| IDSS Min (µA) | 10000 | IDSS Max (µA) | 20000 |
| V(BR)GSS Min (V) | 15 | Ciss Max (pF) | 10 |
| Crss Max (pF) | 2.9 | Pricing ($/Unit) | $0.132Sample |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー ?
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2SK3557-6-TB-E
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