• BCW66GLT1G SOT-23-3
BCW66GLT1G SOT-23-3

BCW66GLT1G

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数量 単価(USD) 合計金額
9000 $0.018 $162.00
6000 $0.020 $120.00
3000 $0.021 $63.00
300 $0.024 $7.20
100 $0.028 $2.80
10 $0.034 $0.34

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概要 BCW66GLT1G

Whether you're looking to enhance your circuit design or improve the efficiency of your switching applications, the BCW66GLT1G is the perfect solution. Its NPN Bipolar Transistor technology combined with a user-friendly SOT-23 package makes it a versatile choice for a wide range of projects. Trust in this transistor to deliver the reliability and performance you need for your next design

BCW66GLT1G

主な特長

  • Fully Tested and Certified for High-Reliability Applications
  • Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified
  • PPAP Capable and Diverse Power Supply Options Available
  • Rugged Design for Harsh Environmental Conditions and 24/7 Operation
    • Compliant with Industry Standards Including IEC, UL, and CE
    • Fully Compliant with AEC-Q100 Qualification Process

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer onsemi Product Category Bipolar Transistors - BJT
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity NPN
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 75 V Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 700 mV Maximum DC Collector Current 800 mA
Pd - Power Dissipation 225 mW Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series BCW66 Brand onsemi
Continuous Collector Current 800 mA Height 0.94 mm
Length 2.9 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory Transistors
Technology Si Width 1.3 mm
Unit Weight 0.001376 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー ?

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包 ?

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い ?

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

MJD112T4G

MJD112T4G

MJD112T4G is a NPN Complementary Darlington Power Transistor
IRFH3707TRPBF

IRFH3707TRPBF

12V-300V N-Channel Power MOSFET
NVMFS5A160PLZT1G

NVMFS5A160PLZT1G

NVMFS5A160PLZT1G MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
MMST3906-7-F

MMST3906-7-F

SMD Transistor with PNP Polarization, Suitable for General Purpose Circuit Design, 40V Voltage Rating, 0.2A Current Rating, 200mW Power Dissipation
IRFY140

IRFY140

TO-257AA packaged N-channel MOSFET transistor with a 100V maximum voltage and 16A maximum current
IRF9511

IRF9511

IRF9511: Si Power MOSFET, 80V, 3A, 1.2Ω, P-Channel
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概要 BCW66GLT1G 仕様 保証と返品 類似商品 人気商品

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当社が提供するすべてのコンポーネントに対して、365 日間の延長品質保証期間を設けています。返品または交換が必要になった場合は、以下のガイドラインに従ってください。:

·商品の発送日から 90 日以内にリクエストを開始してください。

·当社のチームと返品または交換を調整してください。

·商品は、配送時の元の状態のままにしておいてください。

·商品の返品または交換の実現可能性は、返品時の実際の状態の評価に左右されることに注意してください。

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Package

輸送中に部品が損傷を受けないようにするにはどうすればよいですか?

弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

ESD package package package

支払い

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