• BSC046N10NS3GATMA1 TDSON-8
BSC046N10NS3GATMA1 TDSON-8

BSC046N10NS3GATMA1

100V, 100A N-channel MOSFET enclosed in a TDSON-8 package

在庫：5,017

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概要 BSC046N10NS3GATMA1

In summary, the BSC046N10NS3GATMA1 is a versatile and high-performing Power FET that meets the demanding requirements of modern electronic systems. Whether used in industrial automation, automotive electronics, or renewable energy systems, this MOSFET offers a cost-effective and efficient solution for managing power distribution and control. Its GREEN plastic housing and compact packaging make it easy to handle and integrate into various design layouts, ensuring seamless operation and long-term reliability

BSC046N10NS3GATMA1

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series OptiMOS™ Product Status Obsolete
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 156W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PG-TDSON-8-7
Package / Case 8-PowerTDFN

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BSC046N10NS3GATMA1

100V, 100A N-channel MOSFET enclosed in a TDSON-8 package

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