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BSM75GB60DLC

Dual IGBT Modules with a maximum voltage of 600V and current rating of 75A

在庫：9,644

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概要 BSM75GB60DLC

Within the heart of this module lie two IGBTs configured in a half-bridge layout, flanked by integrated freewheeling diodes, gate drivers, and temperature sensors. This amalgamation of components not only streamlines assembly but also minimizes spatial requirements, a boon for compact system designs

主な特長

  • High-frequency switching up to 100kHz for high-power applications
  • Precise current sensing and monitoring for optimal operation
  • Suitable for motor drives, power supplies and industrial automation
  • Compact and lightweight design for space constrained applications

応用

  • Wind inverters
  • Solar energy
  • Energy storage

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C 100 A Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Pd - Power Dissipation 355 W Package / Case 32 mm
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 125 C
Brand Infineon Technologies Height 30.5 mm
Length 94 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 34 mm
Part # Aliases SP000100469 BSM75GB60DLCHOSA1 Unit Weight 6.349313 oz

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P-Channel 60V 60A 3-Pin MOSFET, TJ60S06M3L (T6L1, NQ), in DPAK Package
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DMN3067LW-7

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MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
BSC097N06NSATMA1

BSC097N06NSATMA1

This product is a N-channel MOSFET transistor capable of handling up to 60 volts and 12 amps
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BSM75GB60DLC

Dual IGBT Modules with a maximum voltage of 600V and current rating of 75A

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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

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