BSS131 H6327
Type MOSFET with 0.1A and 240V in SOT23 package
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
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6000 | $0.076 | $456.00 |
3000 | $0.080 | $240.00 |
150 | $0.102 | $15.30 |
50 | $0.114 | $5.70 |
5 | $0.142 | $0.71 |
500 | $0.087 | $43.50 |
在庫:9,007
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部品番号 : BSS131 H6327
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別名 : BSS131H6327XTSA1
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パッケージ/ケース : SOT23-3
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メーカー : Infineon Technologies
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コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : BSS131 H6327 データシート (PDF)
概要 BSS131 H6327
In terms of packaging, the BSS131 H6327 comes in a compact SOT-23 package that is both easy to integrate onto printed circuit boards and durable enough to withstand challenging operating conditions. With its small footprint and superior construction, this MOSFET is a reliable choice for designers looking for a high-performance transistor solution. Trust the BSS131 H6327 to deliver exceptional performance and efficiency in your next electronic project
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 240 V |
Id - Continuous Drain Current | 110 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 7.7 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.4 V |
Qg - Gate Charge | 2.1 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 360 mW |
Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
Fall Time | 64.5 ns | Forward Transconductance - Min | 0.06 S |
Height | 1.1 mm | Length | 2.9 mm |
Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 3.1 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 13.7 ns | Typical Turn-On Delay Time | 3.3 ns |
Width | 1.3 mm | Part # Aliases | SP000702620 BSS131H6327XTSA1 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
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BSC046N10NS3GATMA1
100V, 100A N-channel MOSFET enclosed in a TDSON-8 package

BU508AF
Suitable for industrial automation, motor control, and power supply applications

D44H11
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DMP2165UW-7
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FDMS86101
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SI7370DP-T1-E3
Product Description: MOSFET with a 60V Drain-Source Voltage and 20V Gate-Source Voltage in PowerPAK SO-8 Package

IRFH5250TR2PBF
MOSFET with a low on-state resistance of 1.15mOhm

ZXMN10A07FTA
MOSFET with N-channel configuration, 0.8A current capacity, and 100V voltage rating in SOT23 package

MW7IC2020NT1
MW7IC2020NT1 RF Amplifier

BSS131 H6327
Type MOSFET with 0.1A and 240V in SOT23 package
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