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CM1500HC-66R

High Voltage Single IGBT Module

在庫：5,173

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概要 CM1500HC-66R

The Mitsubishi Electric CM1500HC-66R is an IGBT Module from Mitsubishi Electric's high-voltage single configuration series. Designed for industrial and commercial applications that require high power density and reliability, this module is ideal for use in motor drives, renewable energy systems, and other demanding applications where high voltage and current are required. Its triple configuration offers improved performance and efficiency over traditional configurations. With a collector-emitter voltage of up to 3.3 kV and continuous collector current at 25°C of 1.5 kA, this module can handle demanding loads while minimizing energy loss.

主な特長

  • High-voltage single configuration for improved reliability
  • Triple configuration for enhanced performance
  • Collector-emitter voltage up to 3.3 kV
  • Continuous collector current at 25°C up to 1.5 kA
  • Power dissipation up to 15.6 kW
  • SMD/SMT mounting style for compact design

応用

  • Motor drives
  • Renewable energy systems (e.g., solar, wind)
  • Industrial power supplies
  • Commercial and industrial applications requiring high voltage and current

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Modules RoHS N
Product IGBT Silicon Modules Configuration Triple
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 3.3 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Continuous Collector Current at 25 C 1.5 kA Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Pd - Power Dissipation 15.6 kW Package / Case Module
Minimum Operating Temperature - 50 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Mitsubishi Electric Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style SMD/SMT Product Type IGBT Modules
Series CM1500 Factory Pack Quantity 2
Subcategory IGBTs Technology Si

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PMGD290XN,115

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PMGD290XN 115 MOSFET
IRLML6401TR

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Tape and Reel format for convenience, featuring a Silicon P-channel MOSFET with specifications of 12V and 4.3A
BFU690F,115

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Silicon RF Transistor NPN Wideband
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2

The IXTT16N20D2 MOSFET falls under the category of N-channel depletion mode devices
VS-GA250SA60S

VS-GA250SA60S

Product Details: The VS-GA250SA60S IGBT module is engineered with N-channel architecture
IRFH3707TRPBF

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12V-300V N-Channel Power MOSFET
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CM1500HC-66R

High Voltage Single IGBT Module

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