D1084UK
Transistors for RF signal amplification
在庫:8,256
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部品番号 : D1084UK
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パッケージ/ケース : TO-220-3
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メーカー : TT ELECTRONICS
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コンポーネントの分類 : RF FETs, MOSFETs
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日付シート : D1084UK データシート (PDF)
概要 D1084UK
The D1084UK belongs to the RF MOSFET Transistors class crafted by TT Electronics. Engineered to serve demanding radio frequency applications, this N-Channel Si-based RF Power MOSFET transistor showcases its versatility in extending utility to high-frequency amplification, switching circuits, and more. This device addresses crucial precautions such as careful handling and usage within the recommended operating conditions, while also highlighting indispensable guidance for safe storage and transportation.
主な特長
- N-Channel Si-based RF Power MOSFET
- TO-220-3 package with Through Hole mounting style
- Operating Frequency: 200 MHz
- Gain: 13 dB
- Output Power: 4 W
- Id - Continuous Drain Current: 5 A
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 70 V
- Pd - Power Dissipation: 62.5 W
- Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V to 7 V
応用
- High-frequency amplification circuits
- Switching circuits for radio frequency applications
- RF power amplifier design
- Radio transmission systems
- Communication equipment
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | RF MOSFET Transistors | Transistor Polarity | N-Channel |
Technology | Si | Id - Continuous Drain Current | 5 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 70 V | Operating Frequency | 200 MHz |
Gain | 13 dB | Output Power | 4 W |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 | Brand | Welwyn Components / TT Electronics |
Configuration | Single | Height | 9.52 mm |
Length | 10.66 mm | Pd - Power Dissipation | 62.5 W |
Product Type | RF MOSFET Transistors | Subcategory | MOSFETs |
Type | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V to 7 V | Width | 4.82 mm |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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返品・交換:90日以内
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IRFR3410PBF
Transistor MOSFET N-channel with 100V and 31A in a 3-pin DPAK package

MAC4DCMT4G
Silicon Controlled Rectifier 4A 600V

PD57060-E
SO-10 MOSFETs conforming to ROHS standards

MUBW15-12A6K
Double Bridge Configuration Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Power Integrated Module for Three-Phase Applications

FZ1600R12KF4
N-Channel module-7 with a rating of 1600A I(C) and 1200V V(BR)CES

IXTP110N055T2
Specifications: This MOSFET device operates as an N-channel switch, supporting up to 55V voltage and 110A current in a TO-220 package

D1084UK
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