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DMN26D0UDJ-7

Diodes Inc DMN26D0UDJ-7 Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.24 A, 20 V, 6-Pin SOT-963

数量 単価(USD) 合計金額
5000 $0.132 $660.00
2500 $0.135 $337.50
500 $0.140 $70.00
150 $0.151 $22.65
50 $0.161 $8.05
5 $0.182 $0.91

在庫：5,253

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概要 DMN26D0UDJ-7

The DMN26D0UDJ-7 is a cutting-edge small-signal field-effect transistor, optimized for high-frequency and low-voltage applications. With a maximum current of 0.18A and voltage rating of 20V, this device is suitable for various electronic systems requiring precision control. The two-element N-channel MOSFET design provides excellent switching performance, making it an ideal choice for radio frequency (RF) circuits, analog-to-digital converters (ADCs), and other high-frequency applications. The silicon-based construction ensures a high level of thermal stability and resistance to radiation, while the ultra-small package size minimizes space requirements without compromising electrical performance. This device is designed to operate reliably in harsh environments and provides excellent reliability and durability

主な特長

  • N-Channel MOSFET
  • Low On-Resistance:
  • 3.0 Ω @ 4.5V
  • 4.0 Ω @ 2.5V
  • 6.0 Ω @ 1.8V
  • 10 Ω @ 1.5V
  • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V max
  • Low Input Capacitance
  • Fast Switching Speed
  • Low Input/Output Leakage
  • Ultra-Small Surface Mount Package, 0.4mm Maximum Package
  • Height
  • ESD Protected Gate
  • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 1)
  • "Green" Device (Note 2)
  • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-963-6 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 240 mA Rds On - Drain-Source Resistance 3 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 450 mV
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 300 mW Channel Mode Enhancement
Series DMN26 Brand Diodes Incorporated
Configuration Dual Fall Time 15.2 ns
Forward Transconductance - Min 180 mS Product MOSFET Gate Drivers
Product Type MOSFET Rise Time 7.9 ns
Factory Pack Quantity 10000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-Channel Type Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 13.4 ns Typical Turn-On Delay Time 3.8 ns
Unit Weight 0.009524 oz

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BSM75GB60DLC

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Dual IGBT Modules with a maximum voltage of 600V and current rating of 75A
2SD2675TL

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NPN transistor with low VCE(sat)
NTGS4111PT1G

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Transistor with P-channel polarity, -30V source voltage, and 4.7A continuous drain current, ideal for circuits requiring low on resistance
SSM3K2615R,LF

SSM3K2615R,LF

Specifications: 2A current capacity, 60V maximum voltage, 300mOhm resistance at 10V, 1W power rating at 2V and 1mA
TP65H035G4WSQA

TP65H035G4WSQA

MOSFET GAN FET 650V 46.5A TO247
CM2400HC-34N

CM2400HC-34N

1.7KV 2.4KA TRANS IGBT MODULE N-CH
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DMN26D0UDJ-7

Diodes Inc DMN26D0UDJ-7 Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.24 A, 20 V, 6-Pin SOT-963

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