DMP2165UW-7
Established French Electronics Provider
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 9000 | $0.034 | $306.00 |
| 6000 | $0.036 | $216.00 |
| 3000 | $0.040 | $120.00 |
| 300 | $0.044 | $13.20 |
| 100 | $0.050 | $5.00 |
| 10 | $0.062 | $0.62 |
在庫：5,005
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : DMP2165UW-7
-
パッケージ/ケース : SOT-323-3
-
メーカー : Diodes Incorporated
-
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
-
日付シート : DMP2165UW-7 データシート (PDF)
-
Series : DMP2165
概要 DMP2165UW-7
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323
主な特長
- High-voltage operation up to 20 V
- Continuous current of -4.3 A
- Low on-resistance for efficient switching
応用
- Industrial automation solutions
- Telecom equipment integration
- Medical device technology
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 3.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 700 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | Diodes Incorporated |
| Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 8.7 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 17.8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.7 ns | Unit Weight | 0.000212 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー ?
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
-
配送と梱包 ?
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い ?
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
BSC046N10NS3GATMA1
100V, 100A N-channel MOSFET enclosed in a TDSON-8 package
BU508AF
Suitable for industrial automation, motor control, and power supply applications
D44H11
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
FDD6680AS
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
FDMS86101
Power MOSFET with N-channel configuration, designed for operation at 100V voltage, capable of carrying currents up to 12
FDS6688
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
FMMT618TA
15V, 2A NPN transistor packaged in SOT23
IRGP4750DPBF
IRGP4750DPBF: A high-performance N-channel IGBT chip designed for power applications
APT50M50JFLL
500 V 50 mOhm SOT-227
PDTC114TT,215
NPN Digital Bipolar Junction Transistor
SUD25N06-45L
MOSFET SUD25N06-45L, suggested substitute for 781-SUD23N06-31-GE3
ESM2012DV
The ESM2012DV is a Si NPN power transistor with a current rating of 120A and voltage rating of 125V, packaged in ISOTOP-4
IRF7815TRPBF
Silicon N-Channel Power FET, 5.1A Continuous Drain Current, 150V Drain-Source Voltage, 0.043ohm Drain-Source On-Resistance
DMP2165UW-7
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在庫：
5,005
保証と返品
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当社が提供するすべてのコンポーネントに対して、365 日間の延長品質保証期間を設けています。返品または交換が必要になった場合は、以下のガイドラインに従ってください。:
·商品の発送日から 90 日以内にリクエストを開始してください。
·当社のチームと返品または交換を調整してください。
·商品は、配送時の元の状態のままにしておいてください。
·商品の返品または交換の実現可能性は、返品時の実際の状態の評価に左右されることに注意してください。
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Package
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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。
支払い
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