• DTA143EUAT106 SOT-323
DTA143EUAT106 SOT-323

DTA143EUAT106

ROHM - DTA143EUAT106 - TRANSISTOR

数量 単価(USD) 合計金額
20 $0.030 $0.60
200 $0.024 $4.80
600 $0.020 $12.00
3000 $0.018 $54.00
9000 $0.016 $144.00
21000 $0.015 $315.00

在庫：5,992

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概要 DTA143EUAT106

When it comes to selecting a digital transistor with a Single PNP polarity, the DTA143EUAT106 stands out for its combination of features and performance characteristics. With a Collector Emitter Voltage of 50V and a Continuous Collector Current of -100mA, this transistor is well-suited for applications requiring moderate power levels. The inclusion of a 4.7kohm Base Input Resistor and Base-Emitter Resistor ensures proper signal control and amplification, while the Resistor Ratio adds versatility to circuit design

主な特長

  • 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 4.7kΩ
  • 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) .
  • 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.
  • 4) Complementary NPN Types: DTC143E series

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Not Recommended Ihs Manufacturer ROHM CO LTD
Part Package Code SC-70 Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8541.21.00.75
Samacsys Manufacturer ROHM Semiconductor Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Collector Current-Max (IC) 0.1 A Collector-Emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR DC Current Gain-Min (hFE) 30
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP Power Dissipation Ambient-Max 0.2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz
VCEsat-Max 0.3 V

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ZXTC2062E6TA

ZXTC2062E6TA

Silicon Bipolar Transistor suitable for Small Signal Applications
SPD03N60S5

SPD03N60S5

N-Channel MOSFET Transistor, TO-252AA package
TIP122TU

TIP122TU

NPN Darlington Bipolar Power Transistor with a current rating of 5.0 Amps and voltage rating of 100 Volts
2SK3482-Z-E1-AZ

2SK3482-Z-E1-AZ

Nch Single Power Mosfet 100V 36A 33Mohm Mp-3Z/To-252
MJE18004G

MJE18004G

Characteristics of this bipolar transistor include a high voltage and power rating, as well as a low current and voltage capability
2SJ598-AZ

2SJ598-AZ

Pch Single Power Mosfet -60V
packageimg

DTA143EUAT106

ROHM - DTA143EUAT106 - TRANSISTOR

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ESD package package package

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