DTC114ESATP

Name: DTC114ESATP
Brand: Rohm Semiconductor
Rating: 4.5 (10 reviews)

SPT technology-based NPN transistor with a compact 3-pin configuration, ideal for small-scale electronic circuits

在庫：5,001

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部品番号 : DTC114ESATP
パッケージ/ケース : SPT
メーカー : Rohm Semiconductor
コンポーネントの分類 : Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
日付シート : DTC114ESATP データシート (PDF)
Series : DTC114

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概要 DTC114ESATP

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 300 mW Through Hole SPT

主な特長

1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without
connecting external input resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to
allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost
completely eliminating parasitic effects.
3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making device
design easy.

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Ihs Manufacturer	ROHM CO LTD	Part Package Code	SC-72
Package Description	IN-LINE, R-PSIP-T3	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Samacsys Manufacturer	ROHM Semiconductor	Additional Feature	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Collector Current-Max (IC)	0.1 A	Collector-Emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	DC Current Gain-Min (hFE)	30
JESD-30 Code	R-PSIP-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	IN-LINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	250 MHz
VCEsat-Max	0.3 V	Package	Tape & Box (TB)
Product Status	Obsolete	Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	50 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA	Frequency - Transition	250 MHz
Power - Max	300 mW	Mounting Type	Through Hole
Package / Case	SC-72 Formed Leads	Supplier Device Package	SPT
Base Product Number	DTC114

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