• FDD6680AS
FDD6680AS

FDD6680AS

Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

在庫：4,575

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概要 FDD6680AS

Revolutionizing the replacement process for a single MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies, the FDD6680AS is an unparalleled solution. Boasting a 30V MOSFET engineered to maximize power conversion efficiency with a low RDS(ON) and low gate charge, this component sets a new standard for performance. Moreover, the FDD6680AS integrates an advanced Schottky diode using SyncFET™ technology, ensuring top-notch efficiency and reliability in power supply applications. Its flawless performance as the low-side switch in a synchronous rectifier aligns with that of the FDD6680A in parallel with a Schottky diode, highlighting its exceptional quality and dependability

FDD6680AS

主な特長

  • 55A, 30V
  • RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 13.0 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • Includes SyncFET™ Schottky body diode
  • Low gate charge (21nC typical)
  • High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
  • High power and current handling capability

応用

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs Mfr onsemi
Series PowerTrench®, SyncFET™ Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Product Status Obsolete FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 15 V FET Feature -
Power Dissipation (Max) 60W (Ta) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package TO-252AA
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Base Product Number FDD668

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