FDMC5614P
FDMC5614P is a P-Channel MOSFET manufactured by ON Semiconductor, featuring a maximum current rating of 5
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
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1 | $0.291 | $0.29 |
10 | $0.258 | $2.58 |
30 | $0.244 | $7.32 |
100 | $0.226 | $22.60 |
500 | $0.194 | $97.00 |
1000 | $0.187 | $187.00 |
在庫:8,497
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部品番号 : FDMC5614P
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パッケージ/ケース : PowerWDFN-8
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メーカー : Onsemi
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コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : FDMC5614P データシート (PDF)
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Series : FDMC5614P
概要 FDMC5614P
When it comes to power management, the FDMC5614P P-Channel MOSFET from Fairchild Semiconductor stands out for its durability and reliability. Designed with an advanced Power Trench process, this MOSFET is rugged enough to handle demanding conditions. Furthermore, it boasts a wide range of gate drive voltage ratings from 4.5V to 20V, making it suitable for a variety of power management applications. With the FDMC5614P, you can have confidence in the performance and resilience of your power management systems
主な特長
- High speed and precision
- Advanced thermal management
- Robust and reliable performance
- Compact design with low noise
- Real-time data acquisition capability
- Fast switching speed and high efficiency
応用
- Useful in multiple ways
- Ideal for many projects
- Highly adaptable product
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | Power-33-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Id - Continuous Drain Current | 13.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 84 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Qg - Gate Charge | 20 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.1 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
Series | FDMC5614P | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 11 ns |
Height | 0.8 mm | Length | 3.3 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 11 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Width | 3.3 mm |
Unit Weight | 0.007055 oz |
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FDS6688
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
FDH5500
Description of product FDH5500: 55 volts, 75 amperes, with a 7 milliohm resistance at 75 amperes
FGH80N60FDTU
Product FGH80N60FDTU: N-channel 600V 80A Trans IGBT Chip, TO-247 Package, 290W Power Dissipation
FDC6506P
type 30V 1.8A 6-pin package tape and reel
FDD6680AS
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
FDMA3023PZ
High-performance Transistor Array
FDMS7692
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
MJD253T4G
100 V Voltage Rating
SPD15P10PLGBTMA1
15A Current Rating
SI4102DY-T1-GE3
Integrated circuit with 100V drain-source voltage and 20V gate-source voltage in SO-8 form factor
PSMN063-150D
N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 150V and a drain current rating of 29A, packaged in TO-252AA format
DMN6068LK3-13
60V 6A 3-Pin Package
MCH3484-TL-W
N-channel MOSFET with 0.9V drive capability, part of the TL-W series
FDMC5614P
FDMC5614P is a P-Channel MOSFET manufactured by ON Semiconductor, featuring a maximum current rating of 5
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