• FDMS7692 Package
FDMS7692 Package

FDMS7692

在庫あり：8,334

FDMS7692 is a high-quality Single FETs, MOSFETs from onsemi with a operating temperature range of - 55 C ~ + 150 C

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FDMS7692

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series FDMS7692 Product Status Active
FET Type N-Channel Technology Si
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Package / Case Power-56-8 Base Product Number FDMS76
Manufacturer onsemi Product Category MOSFET
RoHS Details REACH Details
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 14 A Rds On - Drain-Source Resistance 6.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V
Qg - Gate Charge 15 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 27 W
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Fall Time 2.3 ns Height 1.1 mm
Length 6 mm Product Type MOSFET
Rise Time 2.7 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type Power Trench MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 17 ns
Typical Turn-On Delay Time 8 ns Width 5 mm
Unit Weight 0.002402 oz

概要 FDMS7692

The FDMS7692 is a high-performance N-Channel MOSFET that is tailored for DC/DC converters, offering improved efficiency and reduced switch node ringing. It is compatible with both synchronous and conventional switching PWM controllers, making it versatile for various applications. With its optimized design for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed, and enhanced body diode reverse recovery performance, it ensures reliable and efficient operation in power management systems

主な特長

  • Max rDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID= 13 A
  • Max rDS(on) = 13 mΩ at VGS = 4.5 V, IDS= 10 A
  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
  • Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery.
  • MSL1 robust package design
  • 100% UIL tested
  • RoHS Compliant

応用

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

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DTA114EUAT106

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Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin UMT T/R
AT-41511-TR1G

AT-41511-TR1G

41511-TR1G Transistor Si
DMP2165UW-7

DMP2165UW-7

Established French Electronics Provider
FMMT618TA

FMMT618TA

15V, 2A NPN transistor packaged in SOT23
FMMT620TA

FMMT620TA

5A current rating
FZT600TA

FZT600TA

40V maximum voltage rating in a 4-pin configuration with a tab for heat dissipation in a tape and reel packaging
FDMS7692 Package

FDMS7692

Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

在庫：

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仕様 概要 FDMS7692 保証と返品 類似商品 人気商品

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