FDS6688
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
1 | $1.061 | $1.06 |
200 | $0.412 | $82.40 |
500 | $0.397 | $198.50 |
1000 | $0.389 | $389.00 |
在庫:4,543
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部品番号 : FDS6688
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パッケージ/ケース : 8-SOIC
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メーカー : Fairchild Semiconductor
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コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : FDS6688 データシート (PDF)
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Series : FDS66
概要 FDS6688
N-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

主な特長
- 16 A, 30 V. RDS(ON) = 6 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 7 mΩ @ VGS = 4.5 V
- Ultra-low gate charge (40 nC typical)
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ROCHESTER ELECTRONICS LLC |
Part Package Code | SOT | Package Description | SO-8 |
Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (ID) | 16 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.006 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Qualification Status | COMMERCIAL | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー ?
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返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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FDH5500
Description of product FDH5500: 55 volts, 75 amperes, with a 7 milliohm resistance at 75 amperes

FGH80N60FDTU
Product FGH80N60FDTU: N-channel 600V 80A Trans IGBT Chip, TO-247 Package, 290W Power Dissipation

FDC6506P
type 30V 1.8A 6-pin package tape and reel

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IXYK120N120C3: N-Channel IGBT Transistor Chip, 1200 Volts, 220 Amperes, 1500 Watts, TO-264 Housing

IRF9328TRPBF
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SMMBT3906LT3G
200 mA, 40 V PNP BJT - SMMBT3906LT3G"

SIA483DJ-T1-GE3
PowerPAK SC-70-packaged P-Channel MOSFET

FDS6688
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