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FF800R12KE3 is a high-quality IGBT Modules from Infineon Technologies
部品番号 : FF800R12KE3
パッケージ/ケース : Module
コンポーネントの分類 : IGBT Modules
データシート : FF800R12KE3 データシート (PDF)
Series : FF800R12
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Package | Bulk | Product Status | Obsolete |
| Configuration | Single | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1200 A | Power - Max | 3900 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 800A | Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 57 nF @ 25 V | Input | Standard |
| NTC Thermistor | No | Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Chassis Mount | Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module | Base Product Number | FF800R12 |
Infineon Technologies, a pioneer in semiconductor technology, has once again delivered a top-of-the-line product with the FF800R12KE3 power module. With a focus on compactness and lightweight design, this module is easy to integrate into existing systems, offering a hassle-free installation process. The use of screw connectors further simplifies the setup, providing a quick and secure connection for seamless operation. Its suitability for high-power projects makes it the go-to choice for industrial applications, where performance and reliability are non-negotiable
保証、返品、および追加情報
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
100V, 100A N-channel MOSFET enclosed in a TDSON-8 package
Suitable for industrial automation, motor control, and power supply applications
Established French Electronics Provider
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power MOSFET with N-channel configuration, designed for operation at 100V voltage, capable of carrying currents up to 12
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
15V, 2A NPN transistor packaged in SOT23
Reliable and efficient FET solution for high-voltage design
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Vishay SI7619DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 23.8 A, -30 V, 8-Pin PowerPAK 1212
N-Channel MOSFET with 52A Discharge Current and 900V Voltage Rating
STMICROELECTRONICS - STW25NM60ND - MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
Field-effect transistor with 100V capacity
IGBT module designed for high-power applications with a dual configuration, rated at 1200 volts and 800 amps
在庫:
8,206当社が提供するすべてのコンポーネントに対して、365 日間の延長品質保証期間を設けています。返品または交換が必要になった場合は、以下のガイドラインに従ってください。:
·商品の発送日から 90 日以内にリクエストを開始してください。
·当社のチームと返品または交換を調整してください。
·商品は、配送時の元の状態のままにしておいてください。
·商品の返品または交換の実現可能性は、返品時の実際の状態の評価に左右されることに注意してください。
通常、FedEx、SF、UPS、または DHL を使用して、営業日中に注文を発送します。また、代替の配送オプションについてもサポートいたします。配送の詳細や費用について追加情報が必要な場合は、お気軽にお問い合わせください。
弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。
一般的に、VISA、MasterCard、UnionPay、Western Union、PayPal などのさまざまな支払い方法がご利用いただけます。
特定の支払い方法のご希望がある場合や、料金やその他の詳細について情報をご希望の場合は、お気軽にお問い合わせください。