FMMT618TA
15V, 2A NPN transistor packaged in SOT23
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 6000 | $0.072 | $432.00 |
| 3000 | $0.076 | $228.00 |
| 500 | $0.094 | $47.00 |
| 150 | $0.109 | $16.35 |
| 50 | $0.121 | $6.05 |
| 5 | $0.149 | $0.74 |
在庫：5,069
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-
部品番号 : FMMT618TA
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パッケージ/ケース : SOT23-3
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メーカー : Diodes Incorporated
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コンポーネントの分類 : Single Bipolar Transistors
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日付シート : FMMT618TA データシート (PDF)
-
Series : FMMT618
概要 FMMT618TA
In addition, the FMMT618TA offers a maximum DC current gain of 40 at a collector current of 100mA, further enhancing its suitability for various electronic designs. Its TO-92 package allows for easy through-hole PCB mounting, simplifying the assembly process and ensuring secure placement
主な特長
- Powerful signal processing
- Ultra-low power consumption
- Compact package design
応用
- Unique applications in power
- Efficient battery management
- Compact sensor interface
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | RoHS | Details |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V | Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 130 mV |
| Maximum DC Collector Current | 2.5 A | Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| Gain Bandwidth Product fT | 140 MHz | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | FMMT618 |
| Brand | Diodes Incorporated | Continuous Collector Current | 2.5 A |
| Height | 1.1 mm | Length | 3 mm |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | Transistors | Technology | Si |
| Width | 1.4 mm | Unit Weight | 0.000282 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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返品・返金：90日以内
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BSC046N10NS3GATMA1
100V, 100A N-channel MOSFET enclosed in a TDSON-8 package
BU508AF
Suitable for industrial automation, motor control, and power supply applications
D44H11
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
DMP2165UW-7
Established French Electronics Provider
FDD6680AS
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
FDMS86101
Power MOSFET with N-channel configuration, designed for operation at 100V voltage, capable of carrying currents up to 12
FDS6688
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
MRF6VP21KH
NXP Semiconductors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-235 MHz, 1000 W, 50 V
IXFN44N100P
Power Field-Effect Transistor with 37A current, 1000V voltage, and 0.22ohm resistance
STE180N10
N-Channel Power MOSFET with a Voltage Rating of 100V and a Current Rating of 180A in a 4-Pin ISOTOP Package
IXFX44N80P
800V MOSFET designed for a maximum current of 44 Amps
BLF202
MOSFETs compliant with ROHS regulations
TPH5200FNH,L1Q
TPH5200FNH,L1Q Transistor with MOSFET Technology
FMMT618TA
15V, 2A NPN transistor packaged in SOT23
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