HGT1S20N60C3S9A
The HGT1S20N60C3S9A is a high-performance N-Channel IGBT, capable of handling 45A at 600V
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
1 | $6.840 | $6.84 |
200 | $2.647 | $529.40 |
500 | $2.554 | $1,277.00 |
800 | $2.509 | $2,007.20 |
在庫:6,477
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部品番号 : HGT1S20N60C3S9A
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パッケージ/ケース : SC-70-3
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メーカー : Onsemi
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コンポーネントの分類 : Single IGBTs
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日付シート : HGT1S20N60C3S9A データシート (PDF)
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Series : HGT1S20
概要 HGT1S20N60C3S9A
In conclusion, the HGT1S20N60C3S9A is a high-quality IGBT module that delivers exceptional performance and reliability. Its advanced features, including a fast recovery diode and thermal management system, make it a standout choice for high-power applications. Upgrade your power systems with the HGT1S20N60C3S9A and experience unmatched efficiency and performance

主な特長
- Current Limiting Threshold Voltage: 1.5V
- Maximum Forward Current: 25A
- Typical Reverse Recovery Time: 50ns
応用
- For electronic devices
- Used in industrial machines
- Essential for power systems
- Ideal for energy-efficient solutions
- Key component for electrical equipment
- Versatile application in various industries
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Status | Last Shipments | Compliance | PbAHP |
Package Type | D2PAK-3 / TO-263-2 | Case Outline | 418AJ |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 800 |
ON Target | N | V(BR)CES Typ (V) | 600 |
IC Max (A) | 20 | VCE(sat) Typ (V) | 1.4 |
Co-Packaged Diode | No | Pricing ($/Unit) | Price N/A |
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保証、返品、および追加情報
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返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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This product, labeled 2SK3004, is a N-channel MOSFET rated for 250 volts and 18 amps, encased in a TO-220F package

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MOSFET with N-channel Design rated for 75V Voltage and 170A Current in D2PAK Package

KSP42TA
Small signal NPN bipolar transistor rated for 0.5A and 300V, packaged in TO-92

IRGB20B60PD1PBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 215000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

2SK3557-6-TB-E
15V voltage rating

HGT1S20N60C3S9A
The HGT1S20N60C3S9A is a high-performance N-Channel IGBT, capable of handling 45A at 600V
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