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HGTG20N60C3

HGTG20N60C3 is an Insulated Gate Bipolar Transistor used in electronic devices

在庫：5,310

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概要 HGTG20N60C3

The onsemi HGTG20N60C3 is an IGBT transistor from onsemi (formerly Fairchild). It belongs to a series of high-power switching devices designed for demanding applications. This IGBT transistor is designed for power electronic applications that require high efficiency, reliability, and performance. It is designed for use in power supplies, motor drives, and other systems where high-current switching is necessary. The device's TO-247-3 package allows for easy mounting and heat dissipation. With a collector-emitter voltage of 600V, this IGBT transistor can handle demanding loads while minimizing energy losses. Additionally, its operating temperature range of -55°C to +150°C ensures reliable operation in various environments.

主な特長

  • 45A, 600V, TC = 25°C
  • 600V Switching SOA Capability
  • Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at TJ = 150°C
  • Short Circuit Rating
  • Low Conduction Loss
  • Related Literature
  • - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

応用

  • Power supplies
  • Motor drives
  • Renewable energy systems
  • Industrial power control applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors Technology Si
Package / Case TO-247-3 Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Continuous Collector Current at 25 C 45 A
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series HGTG20N60 Brand onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current Ic Max 45 A Height 20.82 mm
Length 15.87 mm Product Type IGBT Transistors
Subcategory IGBTs Width 4.82 mm
Unit Weight 1.340411 oz

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