HGTP12N60A4
Power transistor with positive temperature coefficient
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
800 | $0.682 | $545.60 |
400 | $0.694 | $277.60 |
200 | $0.719 | $143.80 |
1 | $1.855 | $1.86 |
在庫:6,530
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部品番号 : HGTP12N60A4
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パッケージ/ケース : TO-220-3
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メーカー : Onsemi
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コンポーネントの分類 : Single IGBTs
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日付シート : HGTP12N60A4 データシート (PDF)
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Series : HGTP12N60
概要 HGTP12N60A4
Designed for high-power applications, the HGTP12N60A4 is a 600V, 12A IGBT that delivers exceptional performance and reliability. With its low VCE (sat) voltage and high collector current, this IGBT is well-suited for use in motor drives, inverters, and power supplies, providing high-efficiency power conversion. Its high operating temperature range of -55°C to 175°C allows it to withstand challenging environmental conditions, and its low thermal resistance of 0.56°C/W ensures efficient heat dissipation and prevents overheating. The compact TO-220AB package design makes it easy to integrate into various electronic devices, while its fast switching speed of 35ns reduces power loss and improves overall system performance. The HGTP12N60A4 is a reliable and high-performing IGBT that offers efficiency, durability, and compactness for demanding high-power applications
主な特長
- Rapid switching time and high-speed applications
- Robust overcurrent protection for safe operation
- Silicon-based insulation for high voltage isolation
応用
- Advanced power solutions
- Industrial automation
- Reliable inverter systems
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 54 A |
Pd - Power Dissipation | 167 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | onsemi / Fairchild |
Continuous Collector Current | 54 A | Continuous Collector Current Ic Max | 54 A |
Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA | Height | 9.65 mm |
Length | 10.67 mm | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 400 | Subcategory | IGBTs |
Width | 4.83 mm | Part # Aliases | HGTP12N60A4_NL |
Unit Weight | 0.211644 oz |
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HGTP12N60A4
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