IRF5810TRPBF
Dual P-channel MOSFET
在庫：7,281
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部品番号 : IRF5810TRPBF
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パッケージ/ケース : TSOP-6
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メーカー : Infineon Technologies
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コンポーネントの分類 : FET, MOSFET Arrays
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日付シート : IRF5810TRPBF データシート (PDF)
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Series : IRF58
概要 IRF5810TRPBF
The IRF5810TRPBF MOSFET offers high performance in a compact TSOP-6 package. With a drain-source voltage (Vds) rating of -20V and a continuous drain current (Id) capability of -2.9A, it suits a wide range of applications where efficient power management is crucial. Its dual P-channel configuration enhances versatility, while the RoHS compliance ensures environmental responsibility. Operating with a low on-resistance (Rds(on)) of 90mohm at a test voltage (Vgs) of -4.5V, this MOSFET guarantees minimal power loss and improved efficiency in circuit designs. Whether utilized in consumer electronics, automotive systems, or industrial controls, its reliability and performance make it a preferred choice for engineers seeking optimal power handling solutions
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSOP-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.9 A | Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V |
| Qg - Gate Charge | 6.4 nC | Pd - Power Dissipation | 960 mW |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Dual |
| Height | 1.1 mm | Length | 3 mm |
| Moisture Sensitive | Yes | Product | MOSFET Small Signal |
| Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 P-Channel |
| Width | 1.5 mm | Part # Aliases | SP001574802 |
| Unit Weight | 0.000705 oz |
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IRF5810TRPBF
Dual P-channel MOSFET
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