IRF7831TRPBF
30V N Channel MOSFET with 21A current rating and 3.6mΩ resistance at 10V
在庫：5,650
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部品番号 : IRF7831TRPBF
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パッケージ/ケース : 8-SOIC
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メーカー : Infineon Technologies
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コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : IRF7831TRPBF データシート (PDF)
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Series : IRF7831
概要 IRF7831TRPBF
The IRF7831TRPBF N-channel MOSFET is designed for high power applications with its 30V drain-source voltage and a continuous drain current of 21A. With an on-resistance of 3.1mohm and a low threshold voltage of 2.35V, this MOSFET offers high efficiency and easy driveability. Its SOIC package further enhances its versatility, making it suitable for a wide range of power electronic circuits
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Series | HEXFET® | Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±12V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6240 pF @ 15 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-SO |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Base Product Number | IRF7831 |
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IRF7831TRPBF
30V N Channel MOSFET with 21A current rating and 3.6mΩ resistance at 10V
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