IRF9511
IRF9511: Si Power MOSFET, 80V, 3A, 1.2Ω, P-Channel
在庫：7,814
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部品番号 : IRF9511
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パッケージ/ケース : TO-220AB
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メーカー : Harris Corporation
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コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : IRF9511 データシート (PDF)
概要 IRF9511
The IRF9511 is a powerhouse when it comes to power switching applications. With a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 12A, this P-channel power MOSFET transistor is all about efficiency and reliability. Housed in a convenient TO-220AB package, it allows for easy mounting and effective heatsinking, ensuring optimum performance even under high-power conditions
主な特長
- Silicon carbide substrate
- High-frequency analog switching
- Robust mechanical construction
応用
- Energy-saving LED light
- Precise industrial automation
- Sleek consumer electronics
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V | Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@1.5A,10V | Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | Type | P Channel |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 180pF@25V | Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11nC@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー ?
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包 ?
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い ?
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SSM3J15FV,L3F
This MOSFET has a resistance of 12Ω at a current of 10mA and a power dissipation of 150mW at 4V
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IRF9511
IRF9511: Si Power MOSFET, 80V, 3A, 1.2Ω, P-Channel
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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。
支払い
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