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IRGB20B60PD1PBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 215000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数量 単価(USD) 合計金額
1 $2.568 $2.57
200 $1.025 $205.00
500 $0.991 $495.50
1000 $0.975 $975.00

在庫：7,636

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概要 IRGB20B60PD1PBF

Operating at high speeds of up to 20 kHz, the IRGB20B60PD1PBF is perfect for applications that demand precise control and rapid response times. Its short-circuit protection feature offers peace of mind, ensuring that the device remains operational even in the face of unexpected faults. When it comes to reliability and performance, this IGBT stands out from the crowd

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-220-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Continuous Collector Current at 25 C 40 A
Pd - Power Dissipation 215 W Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Brand Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max 40 A Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Height 8.77 mm Length 10.54 mm
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 1000
Subcategory IGBTs Width 4.69 mm
Part # Aliases SP001548090 Unit Weight 0.211644 oz

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SI7913DN-T1-GE3

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ROHS compliant for environmental responsibility
MUN5233DW1T1G

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Dual NPN Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT
2N7002H-7

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
STF11NM60N

STF11NM60N

The STF11NM60N is a 3-pin (3+Tab) N-channel MOSFET designed for applications requiring high voltage (up to 600V) and moderate current (10A)
PMPB27EP

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30V 6.1A 6-Pin EP Trans MOSFET
MMBTA13LT1G

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30V 300mA Darlington Transistors NPN
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IRGB20B60PD1PBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 215000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

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