IS25LP032D-JNLA3
Packaged in an 8-Pin SOIC tray for convenient handling and installation
在庫:8,508
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部品番号 : IS25LP032D-JNLA3
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パッケージ/ケース : SOIC-8
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メーカー : ISSI
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コンポーネントの分類 : メモリ
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日付シート : IS25LP032D-JNLA3 データシート (PDF)
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Series : IS25LP032
概要 IS25LP032D-JNLA3
The IS25LP032D-JNLA3 is a standout 32Mb Serial NOR Flash memory chip designed by ISSI. Its high-performance SPI interface delivers fast read speeds and low power consumption, making it a top choice for automotive, industrial, and consumer electronics applications. With a wide voltage range of 2.7V to 3.6V, it offers system designers the flexibility they need. Additionally, its support for both single and dual output modes enhances its compatibility with different microcontrollers and systems
主な特長
- Industry Standard Serial Interface
- - IS25LP032D: 32Mbit/4Mbyte
- - IS25WP032D: 32Mbit/4Mbyte
- - 256 bytes per Programmable Page
- - Supports standard SPI, Fast, Dual, Dual
- I/O, Quad, Quad I/O, SPI DTR, Dual I/O
- DTR, Quad I/O DTR, and QPI
- - Supports Serial Flash Discoverable
- Parameters (SFDP)
- High Performance Serial Flash (SPI)
- - 50MHz Normal and 133Mhz Fast Read
- - 532 MHz equivalent QPI
- - DTR (Dual Transfer Rate) up to 66MHz
- - Selectable Dummy Cycles
- - Configurable Drive Strength
- - Supports SPI Modes 0 and 3
- - More than 100,000 Erase/Program Cycles
- - More than 20-year Data Retention
- Flexible & Efficient Memory Architecture
- - Chip Erase with Uniform: Sector/Block
- Erase (4/32/64 Kbyte)
- - Program 1 to 256 Bytes per Page
- - Program/Erase Suspend & Resume
- Efficient Read and Program modes
- - Low Instruction Overhead Operations
- - Continuous Read 8/16/32/64-Byte
- Burst Wrap
- - Selectable Burst Length
- - QPI for Reduced Instruction Overhead
- - AutoBoot Operation
- Low Power with Wide Temp. Ranges
- - Single Voltage Supply
- IS25LP: 2.30V to 3.60V
- IS25WP: 1.65V to 1.95V
- - 4 mA Active Read Current (typ.)
- - 10 µA Standby Current (typ.)
- - 1 µA Deep Power Down (typ.)
- - Temp Grades:
- Extended: -40°C to +105°C
- Auto Grade (A3): -40°C to +125°C
- Advanced Security Protection
- - Software and Hardware Write Protection
- - Power Supply Lock Protect
- - 4x256-Byte Dedicated Security Area
- with OTP User-lockable Bits
- - 128 bit Unique ID for Each Device
- (Call Factory)
- Industry Standard Pin-out & Packages(1)
- - B = 8-pin SOIC 208mil
- - N = 8-pin SOIC 150mil
- - T = 8-contact USON 4x3mm
- - E = 8-contact XSON 4x4mm
- - K = 8-contact WSON 6x5mm
- - L = 8-contact WSON 8x6mm(Call Factory)
- - M = 16-pin SOIC 300mil
- - G= 24-ball TFBGA 4x6 ARRAY
- - H = 24-ball TFBGA 5x5 ARRAY
- - KGD (Call Factory)
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | NOR Flash | RoHS | Details |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
Series | IS25LP032D | Memory Size | 32 Mbit |
Supply Voltage - Min | 2.3 V | Supply Voltage - Max | 3.6 V |
Active Read Current - Max | 25 mA | Interface Type | QPI, SPI |
Maximum Clock Frequency | 133 MHz | Organization | 4 M x 8 |
Data Bus Width | 8 bit | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 125 C | Brand | ISSI |
Memory Type | NOR | Moisture Sensitive | Yes |
Product Type | NOR Flash | Speed | 133 MHz |
Factory Pack Quantity | 100 | Subcategory | Memory & Data Storage |
Unit Weight | 0.032173 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー ?
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包 ?
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い ?
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特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
IS61LV6416-10TL
Operating Voltage Range: 3.135 → 3.63 V
IS61WV102416BLL-10MLI
This standard SRAM module combines a 1 Megabyte by 16-bit memory structure with a fast 10 nanosecond access time
IS42S16320D-7TLI
French Electronic Distributor since 1988
IS42S16160D-7BL
A memory chip designed for use in dynamic random access memory (DRAM) applications
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e3 Surface Mount Tube SRAM - Asynchronous ic memory 55ns 20.445mm 45mA 4Mb
IS61WV102416BLL-10MI
This product features a 10 nanosecond access time and a configuration of 1 million words by 16 bits
IS43TR16128D-125KBLI
High-density memory module with 2Gbit capacity and 128Mx16 organization
25LC256-I/ST
Low voltage EEPROM suitable for various electronic applications
MTEDCAE016SAJ-1N2IT
NAND flash-based memory module offering high density, low latency, and advanced error correction
MT47H64M16NF-25E AIT:M
MT47H64M16NF-25E AIT:M is a DDR2 1GB DRAM memory module with a 64MX16 configuration in a FBGA form factor."
CAT93C66LI-G
ON Semiconductor CAT93C66LI-G, 4kbit EEPROM Memory, 250ns 8-Pin PDIP Serial-Microwire
DS1220AD-200+
2KX8 200ns Data Storage
TC4011BFT
Download the datasheet for TC4011BFT from Toshiba for product information
IS25LP032D-JNLA3
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在庫:
8,508保証と返品
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当社が提供するすべてのコンポーネントに対して、365 日間の延長品質保証期間を設けています。返品または交換が必要になった場合は、以下のガイドラインに従ってください。:
·商品の発送日から 90 日以内にリクエストを開始してください。
·当社のチームと返品または交換を調整してください。
·商品は、配送時の元の状態のままにしておいてください。
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輸送中に部品が損傷を受けないようにするにはどうすればよいですか?
弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。
支払い
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