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IXBH2N250

Advanced IGBT Transistors for high-power applications

数量 単価(USD) 合計金額
1 $14.537 $14.54
10 $13.947 $139.47
30 $12.928 $387.84
90 $12.038 $1,083.42

在庫:6,903

*価格は参考値です。
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概要 IXBH2N250

Additionally, the IXBH2N250 features a built-in protection diode that comes in the form of a free intrinsic body diode. This diode plays a critical role in safeguarding the device during turn-off by providing an alternative path for the inductive load current. By mitigating high Ldi/dt voltage transients, the device ensures long-term durability and performance

主な特長

  • Increased accuracy
  • Improved performance
  • Enhanced safety features
  • Simplified installation
  • Cost-effective maintenance

応用

  • Powerful UPS systems
  • Precision laser circuits
  • Reliable capacitor discharges

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series BIMOSFET™ Package Tube
Product Status Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A Current - Collector Pulsed (Icm) 13 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 2A Power - Max 32 W
Input Type Standard Gate Charge 10.6 nC
Reverse Recovery Time (trr) 920 ns Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247AD Base Product Number IXBH2

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー ?

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包 ?

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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