• IXTM24N50 TO-204AE-3
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IXTM24N50

3-pin TO-204AE Silicon MOSFET in N-channel configuration with maximum ratings of 500V and 24A

在庫：9,692

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概要 IXTM24N50

The IXTM24N50 is a powerful N-channel MOSFET designed for high-performance applications. With a continuous drain current of 24A and a drain-source voltage of 500V, this transistor can handle a wide range of voltage and current requirements. The on-resistance of 0.23ohm and a threshold voltage of 4V ensure efficient operation, while the maximum operating temperature of 150°C allows for reliable performance in demanding environments

IXTM24N50

主な特長

  • Silicon-on-Insulator (SOI) technology
  • Improved radiation hardness
  • High-speed performance
  • Low-power consumption
IXTM24N50

応用

  • Compact and efficient
  • Reliable performance
  • Versatile applications
IXTM24N50

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 500 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.23
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 24 Gate Charge (nC) 160
Input Capacitance, CISS (pF) 4200 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.42
Configuration Single Typical Reverse Recovery Time (ns) 600
Power Dissipation (W) 300 Sample Request No

保証と返品

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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IXTM24N50

3-pin TO-204AE Silicon MOSFET in N-channel configuration with maximum ratings of 500V and 24A

在庫：

9,692
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Package

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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

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支払い

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