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IXTN210P10T

SOT-227B-packaged P-channel transistor designed for heavy-duty applications up to 100 volts and 210 amps

在庫：9,837

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概要 IXTN210P10T

The IXTN210P10T Trench P-Channel MOSFET offers an ideal solution for high side switching applications. Its design allows for a straightforward drive circuit referenced to ground, eliminating the need for complex high side driver circuitry commonly associated with N-Channel MOSFETs. This simplicity not only reduces component count but also improves drive circuit efficiency and overall cost-effectiveness. With this MOSFET, designers can streamline their power output stage by pairing it with a corresponding N-Channel MOSFET for a complementary power half bridge stage. This combination not only simplifies the design process but also enhances performance and reliability

主な特長

  • Rapid switching speed
  • Minimal standby current
  • Advanced design concepts

応用

  • Sleek design
  • Effortless integration
  • Flexible voltage options

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) -100 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0075
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) -210 Gate Charge (nC) 740
Input Capacitance, CISS (pF) 69500 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.15
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 830 Maximum Reverse Recovery (ns) 200
Sample Request No Check Stock Yes

保証と返品

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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Quickly ship RoHS-compliant product, discontinued in 2022
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IXTN210P10T

SOT-227B-packaged P-channel transistor designed for heavy-duty applications up to 100 volts and 210 amps

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Package

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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

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