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JANTXV2N2907A

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW

数量 単価(USD) 合計金額
1000 $0.945 $945.00
500 $0.963 $481.50
200 $0.997 $199.40
1 $2.577 $2.58

在庫：9,383

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概要 JANTXV2N2907A

The JANTXV2N2907A is a rugged and reliable NPN bipolar junction transistor specifically designed for military and aerospace applications. Manufactured by Microsemi Corporation, this transistor is part of their JAN level series, ensuring it meets stringent military standards for performance and dependability. With a maximum collector current rating of 600 mA and a maximum collector-emitter voltage rating of 60 V, the JANTXV2N2907A is ideal for use in demanding environments

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

ECCN (US) EAR99 Part Status Active
Automotive No PPAP No
Type PNP Category Bipolar Small Signal
Material Si Configuration Single
Number of Elements per Chip 1 Maximum Collector Base Voltage (V) 60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 60 Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Operating Junction Temperature (°C) -65 to 200 Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.3@15mA@150mA|2.6@50mA@500mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA Maximum DC Collector Current (A) 0.6
Minimum DC Current Gain [email protected]@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V Maximum Power Dissipation (mW) 500
Minimum Operating Temperature (°C) -65 Maximum Operating Temperature (°C) 200
Packaging Bag Supplier Temperature Grade Military
Diameter 5.84(Max) Mounting Through Hole
Package Height 5.33(Max) PCB changed 3
Standard Package Name TO-206-AA Supplier Package TO-18
Pin Count 3 Lead Shape Through Hole

保証と返品

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  • QAと返品ポリシー ?

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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IRF2804PBF

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Infineon IRF2804PBF N-channel MOSFET, 280 A, 40 V HEXFET, 3-Pin TO-220
SIA427DJ-T1-GE3

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SIA427DJ-T1-GE3 VISHAY MOSFET P CH -8V -12A POWERPAK SC70
SBC856BLT1G

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Digital Signal Transistor"
DN2625K4-G

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Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
SUP53P06-20-E3

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VISHAY SUP53P06-20-E3 Power MOSFET, P-Channel
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Vishay SI4948BEY-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 3.1 A, -60 V, 8-Pin SOIC
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JANTXV2N2907A

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW

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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

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