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MJD112T4G

MJD112T4G is a NPN Complementary Darlington Power Transistor

数量 単価(USD) 合計金額
1000 $0.251 $251.00
500 $0.263 $131.50
100 $0.286 $28.60
30 $0.334 $10.02
10 $0.374 $3.74
1 $0.466 $0.47

在庫：9,720

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概要 MJD112T4G

The MJD112T4G Darlington Bipolar Power Transistor is the go-to solution for high-power and switching needs in electronics design. Whether you're working on output stages, driver stages, switching regulators, converters, or power amplifiers, this transistor offers the performance and versatility required for a wide range of applications. Its NPN design complements the MJD117 (PNP) device, providing a seamless and efficient solution for your circuit design requirements. Trust the MJD112T4G to deliver reliable and consistent performance in your projects

主な特長

  • Advanced Thermal Management for High-Temperature Operation
  • High-Speed PCIe 4.0 Interface Support Enabled
  • Fault-Tolerant Design with Triple Redundancy Built-In
  • Low Power Consumption with High Performance Guaranteed
  • Suitable for Data Center and Cloud Computing Applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type DPAK-3 Case Outline 369C
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 2500
ON Target N Polarity NPN
IC Continuous (A) 2 V(BR)CEO Min (V) 100
VCE(sat) Max (V) 2 hFE Min (k) 1
hFE Max (k) 12 fT Min (MHz) 25
Pricing ($/Unit) $0.2247

保証と返品

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    部品の品質保証: 365 日

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MJD112T4G is a NPN Complementary Darlington Power Transistor

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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

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