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MMST3906-7-F

SMD Transistor with PNP Polarization, Suitable for General Purpose Circuit Design, 40V Voltage Rating, 0.2A Current Rating, 200mW Power Dissipation

数量 単価(USD) 合計金額
21000 $0.023 $483.00
9000 $0.024 $216.00
3000 $0.025 $75.00
600 $0.029 $17.40
200 $0.032 $6.40
20 $0.038 $0.76

在庫：7,262

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概要 MMST3906-7-F

Featuring a compact SOT-323 case style with 3 pins, the MMST3906-7-F transistor is a PNP type transistor with a collector-emitter voltage V(br)ceo of -40V and a transition frequency ft of 300MHz. It has a power dissipation Pd rating of 200mW and a DC collector current of -200mA. The DC current gain hFE is specified as 100hFE, ensuring reliable performance in amplification circuits. With an operating temperature range of -55°C to +150°C, this transistor is suitable for a wide range of applications. The collector-emitter saturation voltage Vce(on) is -300mV, while the maximum continuous collector current Ic is -200mA. The transistor offers a gain bandwidth ft typ of 300MHz and a minimum DC current gain of 100, making it ideal for small signal applications

主な特長

  • BVCEO> -40V
  • IC = -200mA Collector Current
  • Epitaxial Planar Die Construction
  • Ultra-Small Surface Mount Package
  • Complementary NPN Type: MMST3904
  • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
  • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
  • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS Details
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOT-323-3
Transistor Polarity PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V Collector- Base Voltage VCBO 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage 300 mV
Maximum DC Collector Current 200 mA Pd - Power Dissipation 200 mW
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series MMST39
Brand Diodes Incorporated Continuous Collector Current - 200 mA
DC Current Gain hFE Max 300 Height 1 mm
Length 2.2 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory Transistors
Technology Si Width 1.35 mm
Unit Weight 0.000176 oz

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IRF7201TRPBF

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IRF7201TRPBF is a robust N-channel power MOSFET engineered to deliver reliable performance in circuits operating between 12V and 300V
NSS1C301ET4G

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Surface Mount NPN Bipolar Transistor with 100V Voltage Rating
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N-Channel MOSFET with 75A current rating
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channel broadband RF power MOSFET
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APL1001J

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Discrete Semiconductor Modules MOSFET Linear 1000 V 18 A SOT-227
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MMST3906-7-F

SMD Transistor with PNP Polarization, Suitable for General Purpose Circuit Design, 40V Voltage Rating, 0.2A Current Rating, 200mW Power Dissipation

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