MPSA42RLRPG
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
在庫:9,590
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部品番号 : MPSA42RLRPG
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パッケージ/ケース : TO-226-3
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メーカー : onsemi
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コンポーネントの分類 : Single Bipolar Transistors
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日付シート : MPSA42RLRPG データシート (PDF)
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Series : MPSA42
概要 MPSA42RLRPG
This High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the TO-92 package.
主な特長
- Packages Compliant with RoHS Directive
- Soldering Flux-Free for Safety and Reliability
- Eco-Friendly Packaging Solution Available
- Lead-Free and Mercury-Free for Environment Concerns
- Halogen-Free Material for Better Air Quality
- Durable and Degaussing-Resistant for Stable Operation
応用
- Industrial
- Power Management
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Status | Obsolete | Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V | Power - Max | 625 mW |
Frequency - Transition | 50MHz | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) | Base Product Number | MPSA42 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー ?
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包 ?
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BSC046N10NS3GATMA1
100V, 100A N-channel MOSFET enclosed in a TDSON-8 package

BU508AF
Suitable for industrial automation, motor control, and power supply applications

D44H11
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

DMP2165UW-7
Established French Electronics Provider

FDD6680AS
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

FDMS86101
Power MOSFET with N-channel configuration, designed for operation at 100V voltage, capable of carrying currents up to 12

FDS6688
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

T435-600B-TR
TRIAC 600V 4A(RMS) 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

PZTA92T1G
In the SOT-223 package, the PZTA92T1G is a PNP High Voltage Bipolar Transistor that can handle a current of 0.05 A and a voltage of 300 V

TIM8996-30
RF JFET Transistors TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED,9GHZ,30W

DMG6602SVTQ-7
Metal-oxide Semiconductor technology

SIS413DN-T1-GE3
MOSFET with P-channel, -30V source voltage, and continuous drain current of -18A

AOD606
For original equipment manufacturers and contract manufacturers only: no intermediaries permitted

MPSA42RLRPG
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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保証と返品
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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。




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