• MRF6S20010NR1 Package
MRF6S20010NR1 Package

MRF6S20010NR1

在庫あり:7,509

MRF6S20010NR1 is a high-quality RF FETs, MOSFETs from NXP Semiconductors with a operating temperature range of - 65 C ~ + 150 C

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仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category RF MOSFET Transistors RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel Technology Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 68 V Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-270 Brand NXP Semiconductors
Channel Mode Enhancement Configuration Single
Height 2.08 mm Length 9.7 mm
Moisture Sensitive Yes Product Type RF MOSFET Transistors
Series MRF6S20010N Factory Pack Quantity 500
Subcategory MOSFETs Type RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage - 500 mV, 12 V Width 6.15 mm
Part # Aliases 935313769528 Unit Weight 0.018679 oz

概要 MRF6S20010NR1

Engineered with precision by NXP Semiconductors, the MRF6S20010NR1 stands out as a high-power RF transistor tailored for the 2300 to 2700 MHz frequency range. With a typical gain of 18.5 dB and the ability to produce 10 watts of output power at 50% efficiency, this transistor is a force to be reckoned with. Its high thermal stability assures reliable performance, even in high-power applications, while its outstanding linearity characteristics make it a perfect fit for various linear amplifier designs

保証と返品

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MRF6S20010NR1

) Packaged in TO-270 with 3 pins for easy installation

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