MT29F8G16ADADAH4-IT:D
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 8G-bit 512M x 16 63-Pin VFBGA
在庫:6,026
概要 MT29F8G16ADADAH4-IT:D
Whether you are designing a new product or upgrading an existing system, the MT29F8G16ADADAH4-IT:D flash memory from Micron offers the reliability and performance you need. With its high capacity, wide operating temperature range, and robust design, this flash memory is a versatile solution for your data storage needs. Stay ahead of the curve with this cutting-edge flash memory product

主な特長
- Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant1
- Single-level cell (SLC) technology
- Organization
- – Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
- – Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)
- – Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
- – Plane size: 2 planes x 2048 blocks per plane
- – Device size: 4Gb: 4096 blocks; 8Gb: 8192 blocks 16Gb: 16,384 blocks
- Asynchronous I/O performance
- – tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
- Array performance
- – Read page: 25µs 3
- – Program page: 200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)3
- – Erase block: 700µs (TYP)
- Command set: ONFI NAND Flash Protocol
- Advanced command set
- – Program page cache mode4
- – Read page cache mode 4
- – One-time programmable (OTP) mode
- – Two-plane commands 4
- – Interleaved die (LUN) operations
- – Read unique ID
- – Block lock (1.8V only)
- – Internal data move
- Operation status byte provides software method for detecting
- – Operation completion
- – Pass/fail condition
- – Write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- WP# signal: Write protect entire device
- First block (block address 00h) is valid when ship ped from factory with ECC. For minimum required ECC, see Error Management.
- Block 0 requires 1-bit ECC if PROGRAM/ERASE cycles are less than 1000
- RESET (FFh) required as first command after power-on
- Alternate method of device initialization (Nand_In it) after power up (contact factory)
- Internal data move operations supported within the plane from which data is read
- Quality and reliability
- – Data retention: 10 years
- – Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
- Operating voltage range
- – VCC: 2.7–3.6V
- – VCC: 1.7–1.95V
- Operating temperature:
- – Commercial: 0°C to +70°C
- – Industrial (IT): –40ºC to +85ºC
- Package
- – 48-pin TSOP type 1, CPL2
- – 63-ball VFBGA
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | NAND Flash | RoHS | Details |
Series | MT29F | Brand | Micron |
Moisture Sensitive | Yes | Product | NAND Flash |
Product Type | NAND Flash | Factory Pack Quantity | 1260 |
Subcategory | Memory & Data Storage | Unit Weight | 0.180694 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー ?
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包 ?
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い ?
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

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MT29F8G16ADADAH4-IT:D
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 8G-bit 512M x 16 63-Pin VFBGA
在庫:
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保証と返品
After Sales Service
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·商品の発送日から 90 日以内にリクエストを開始してください。
·当社のチームと返品または交換を調整してください。
·商品は、配送時の元の状態のままにしておいてください。
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Package
輸送中に部品が損傷を受けないようにするにはどうすればよいですか?
弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。




支払い
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