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MX29GL640ETTI-70G

Flash memory, 4MX16, 70ns, PDSO48

数量 単価(USD) 合計金額
1000 $1.937 $1,937.00
500 $1.972 $986.00
200 $2.043 $408.60
1 $5.280 $5.28

在庫：8,420

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概要 MX29GL640ETTI-70G

Expect nothing but exceptional performance from the Macronix MX29GL640ETTI-70G flash memory chip. With over 2 million pages of 32 bytes each, this chip offers ample storage capacity for a variety of applications. Its low standby current consumption of 0.2mA ensures energy efficiency, making it a great choice for portable devices. Additionally, its fast erase and programming times make it ideal for applications that require quick data access and processing

主な特長

  • 1,048,576 x 8 byte mode only Single power supply operation- 5.0V only operation for read, erase and program operation Fast access time: 70/90/120ns Low power consumption- 30mA maximum active current- 0.2uA typical standby current Command register architecture- Byte Programming (7us typical)- Sector Erase of 16 equal sector with 64K-Byte each Auto Erase (chip & sector) and Auto Program- Automatically erase any combination of sectors with Erase Suspend capability.- Automatically program and verify data at specified address Erase suspend/Erase Resume- Suspends sector erase operation to read data from, or program data to, another sector that is not being erased, then resumes the erase. Status Reply- Data polling & Toggle bit for detection of program and erase operation completion. Ready/Busy (RY/BY)- Provides a hardware method of detecting program and erase operation completion. Sector Group protect/chip unprotect for 5V/12V system. Sector Group protection- Hardware protect method for each group which consists of two adjacent sectors- Temporary sector group unprotect allows code changes in previously locked sectors 10,000 minimum erase/program cycles Latch-up protected to 100mA from -1V to VCC+1V Low VCC write inhibit is equal to or less than 3.2V Package type:- 40-pin TSOP or 44-pin SOP Compatibility with JEDEC standard- Pinout and software compatible with single-power supply Flash

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

ECCN (US) 3A991b.1.a. Part Status Active
HTS 8542.32.00.71 Automotive No
PPAP No Cell Type NOR
Chip Density (bit) 64M Architecture Sectored
Boot Block Yes Block Organization Asymmetrical
Location of Boot Block Top Address Bus Width (bit) 22
Sector Size 8Kbyte x 8|64Kbyte x 127 Page Size 8Words/16byte
Number of Bits/Word (bit) 8/16 Number of Words 8M/4M
Programmability Yes Timing Type Asynchronous
Max. Access Time (ns) 70 Maximum Erase Time (s) 150/Chip
Maximum Page Access Time (ns) 25 Maximum Programming Time (ms) 0.36/Word
OE Access Time (ns) 25 Interface Type Parallel
Minimum Operating Supply Voltage (V) 2.7 Typical Operating Supply Voltage (V) 3|3.3
Maximum Operating Supply Voltage (V) 3.6 Programming Voltage (V) 2.7 to 3.6|9.5 to 10.5
Operating Current (mA) 100 Page Read Current (mA) 20
Program Current (mA) 30 Minimum Operating Temperature (°C) -40
Maximum Operating Temperature (°C) 85 Supplier Temperature Grade Industrial
Command Compatible Yes ECC Support No
Support of Page Mode Yes Mounting Surface Mount
Package Height 1 Package Width 18.4
Package Length 12 PCB changed 48
Standard Package Name SO Supplier Package TSOP-I
Pin Count 48 Lead Shape Gull-wing

保証と返品

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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MT29F64G08CBABAWP:B

MT29F64G08CBABAWP:B

64Gbit TSOPI-48 NAND FLASH ROHS
25AA320A-I/SN

25AA320A-I/SN

2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOIC N Tube EEPROM Serial-SPI 32K-bit 4K x 8
LPC3240FET296/01,5

LPC3240FET296/01,5

ARM Microcontrollers
NAND01GR3B2BZA6E

NAND01GR3B2BZA6E

High-density storage
AT45DB641E-SHN-B

AT45DB641E-SHN-B

64 megabit capacity
AT25128B-SSHL-B

AT25128B-SSHL-B

EEPROM Serial-SPI 128K-bit 16K x 8 2.5V/3.3V/5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
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MX29GL640ETTI-70G

Flash memory, 4MX16, 70ns, PDSO48

在庫：

8,420
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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

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