NSV60600MZ4T1G
Low VCE(sat) Transistor, PNP type, with 60 volts and 6.0 amps
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 1000 | $0.229 | $229.00 |
| 500 | $0.238 | $119.00 |
| 100 | $0.255 | $25.50 |
| 30 | $0.282 | $8.46 |
| 10 | $0.310 | $3.10 |
| 1 | $0.365 | $0.36 |
在庫：9,147
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部品番号 : NSV60600MZ4T1G
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パッケージ/ケース : SOT-223-4
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メーカー : onsemi
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コンポーネントの分類 : Single Bipolar Transistors
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日付シート : NSV60600MZ4T1G データシート (PDF)
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Series : NSV60600
概要 NSV60600MZ4T1G
The NSV60600MZ4T1G Bipolar Transistor offers a unique combination of features that set it apart from other transistors on the market. Its low saturation voltage means that it can operate efficiently even under high load conditions, making it an ideal choice for power-sensitive applications. Additionally, its high gain allows for precise control over the transistor's output, ensuring that your circuits operate smoothly and reliably. Whether you are working on a new project or upgrading an existing design, this transistor is sure to meet your performance requirements
主な特長
- Ultra-High Frequency Response
- Super-Linear Current Gain
- Robust Overcurrent Protection
- PbFree, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
応用
- Fast transient response
- Optimized power efficiency
- Reliable performance
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Product Status | Active | Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V | Power - Max | 800 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) | Base Product Number | NSV60600 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー ?
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包 ?
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
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BSC046N10NS3GATMA1
100V, 100A N-channel MOSFET enclosed in a TDSON-8 package
BU508AF
Suitable for industrial automation, motor control, and power supply applications
D44H11
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
DMP2165UW-7
Established French Electronics Provider
FDD6680AS
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
FDMS86101
Power MOSFET with N-channel configuration, designed for operation at 100V voltage, capable of carrying currents up to 12
FDS6688
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
EM6K33T2R
EM6K33T2R - Transconductance field-effect transistor
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VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Surface Mount
2N4403BU
625mW Power Dissipation
DTC114EMT2L
Potential Divider Type NPN Digital Transistor, SOT-723 Package
2SA1673
2SA1673 - PNP Bipolar Junction Transistor, 180V, 8A
ARF1501
Product ARF1501 is an RF MOSFET (VDMOS) boasting a 1000 V rating and delivering a robust power output of 750 W at a frequency of 40 MHz
NSV60600MZ4T1G
Low VCE(sat) Transistor, PNP type, with 60 volts and 6.0 amps
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