NVMFD5C680NLT1G
Dual N-Channel Power MOSFET capable of handling up to 60V and 17A, with a low resistance of 39mOhm
在庫:6,111
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部品番号 : NVMFD5C680NLT1G
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パッケージ/ケース : SO8FLDual-8
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メーカー : Onsemi
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コンポーネントの分類 : FET, MOSFET Arrays
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日付シート : NVMFD5C680NLT1G データシート (PDF)
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Series : NVMFD5
概要 NVMFD5C680NLT1G
Designed with automotive applications in mind, the NVMFD5C680NLT1G is a game-changer in the world of power MOSFETs. Its compact 5x6mm flat lead package maximizes space efficiency while delivering high thermal performance, ensuring optimal functionality in any automotive system. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable, this MOSFET meets the stringent requirements of the automotive industry, making it the top choice for engineers seeking innovation and reliability in their designs
主な特長
- Precise Temperature Control
- Advanced Noise Reduction
- Enhanced Power Management
- Optimized Component Placement
応用
- Electronic Components
- Power Management ICs
- Intelligent Power Switches
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | SO-8FL Dual / DFN-8 | Case Outline | 506BT |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 1500 |
ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
Configuration | Dual | V(BR)DSS Min (V) | 60 |
VGS Max (V) | ±20 | VGS(th) Max (V) | 2.2 |
ID Max (A) | 19 | PD Max (W) | 19 |
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | Q1=Q2=41 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | Q1=Q2=28 |
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 11.5 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 5 |
Ciss Typ (pF) | 350 | Pricing ($/Unit) | $0.6429 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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NVMFD5C680NLT1G
Dual N-Channel Power MOSFET capable of handling up to 60V and 17A, with a low resistance of 39mOhm
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