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PSMN020-150W

Railway-grade power MOSFET

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概要 PSMN020-150W

N-Channel 150 V 73A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247

主な特長

  • ’Trench’ technology
  • Very low on-state resistance
  • Fast switching
  • Low thermal resistance

応用

  • d.c. to d.c. converters
  • switched mode power supplies

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V
Id - Continuous Drain Current 73 A Rds On - Drain-Source Resistance 20 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 300 W
Channel Mode Enhancement Brand NXP Semiconductors
Configuration Single Fall Time 101 ns
Height 21.4 mm Length 16.2 mm
Product Type MOSFET Rise Time 79 ns
Factory Pack Quantity 500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 233 ns
Typical Turn-On Delay Time 34 ns Width 5.2 mm
Part # Aliases PSMN020-150W,127 Unit Weight 0.211644 oz

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2SJ598-AZ

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Pch Single Power Mosfet -60V
CM150DY-24T

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ZVN4106F

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Described as a MOSFET discrete semiconductor
RFD10P03L

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High-power P-CHANNEL MOSFET with 10A rating and 30V breakdown voltage
TN2404KL-TR1-E3

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N-Channel 240 Volt MOSFET
IRFS7437-7PPBF

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Single-element transistor designed for power circuits
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