• SI2323DS-T1-GE3 SOT23-3
SI2323DS-T1-GE3 SOT23-3

SI2323DS-T1-GE3

Description: ROHS compliant SOT-23 MOSFETs capable of handling 4.7A current at 750mW power dissipation

数量 単価(USD) 合計金額
1000 $0.239 $239.00
500 $0.252 $126.00
100 $0.275 $27.50
30 $0.325 $9.75
10 $0.365 $3.65
1 $0.459 $0.46

在庫：9,133

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概要 SI2323DS-T1-GE3

P-Channel 20 V 3.7A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

SI2323DS-T1-GE3

主な特長

  • Compact SMT Package
  • Wide Operating Temperature Range
  • Excellent Thermal Stability

応用

  • Wireless communication
  • Home automation
  • Signal conditioning circuits

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 4.7 A Rds On - Drain-Source Resistance 39 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 12.5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.25 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 48 ns
Height 1.45 mm Length 2.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 43 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 71 ns
Typical Turn-On Delay Time 25 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-GE3 Unit Weight 0.000282 oz

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packageimg

SI2323DS-T1-GE3

Description: ROHS compliant SOT-23 MOSFETs capable of handling 4.7A current at 750mW power dissipation

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