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SI4102DY-T1-GE3

Integrated circuit with 100V drain-source voltage and 20V gate-source voltage in SO-8 form factor

在庫:8,007

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概要 SI4102DY-T1-GE3

N-Channel 100 V 3.8A (Tc) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

主な特長

  • TrenchFET® Power MOSFET
  • 100 % UIS Tested
  • Material categorization: For definitions of compliance please see
  • www.vishay.com/doc?99912

応用

["High Frequency Boost Converter ", "LED Backlight for LCD TV"]

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Tradename TrenchFET
Series SI4 Brand Vishay Semiconductors
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Part # Aliases SI4102DY-GE3
Unit Weight 0.006596 oz

保証と返品

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    返品・交換:90日以内

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