SI4459ADY-T1-GE3

Name: SI4459ADY-T1-GE3
Brand: Vishay
Rating: 4.5 (10 reviews)

8-pin surface-mount MOSFET transistor with P-channel configuration

数量	単価(USD)	合計金額
1	$0.643	$0.64
10	$0.531	$5.31
30	$0.475	$14.25
100	$0.419	$41.90
500	$0.348	$174.00
1000	$0.331	$331.00

在庫：6,381

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部品番号 : SI4459ADY-T1-GE3
パッケージ/ケース : SOIC-8
メーカー : VISHAY
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI4459ADY-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI4459

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概要 SI4459ADY-T1-GE3

The SI4459ADY-T1-GE3 from Vishay is a reliable P Channel Mosfet with a drain source voltage (Vds) of 30V and a continuous drain current (Id) of 29A. Its surface mount mounting and low Rds(On) test voltage of 10V make it a versatile and efficient choice for power management applications. Additionally, this product is RoHS compliant, meeting environmental standards and regulations

主な特長

Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
TrenchFET® Power MOSFET
100 % Rg and UIS Tested
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

応用

["Adaptor Switch ", "Notebook"]

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	SOIC-8
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	29 A
Rds On - Drain-Source Resistance	5 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	129 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	7.8 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI4
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Single
Fall Time	20 ns	Forward Transconductance - Min	24 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	16 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	80 ns
Typical Turn-On Delay Time	16 ns	Part # Aliases	SI4459ADY-GE3
Unit Weight	0.026455 oz

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