• SI4459ADY-T1-GE3 SOIC-8
SI4459ADY-T1-GE3 SOIC-8

SI4459ADY-T1-GE3

8-pin surface-mount MOSFET transistor with P-channel configuration

数量 単価(USD) 合計金額
1000 $0.331 $331.00
500 $0.348 $174.00
100 $0.419 $41.90
30 $0.475 $14.25
10 $0.531 $5.31
1 $0.643 $0.64

在庫：6,381

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概要 SI4459ADY-T1-GE3

The SI4459ADY-T1-GE3 from Vishay is a reliable P Channel Mosfet with a drain source voltage (Vds) of 30V and a continuous drain current (Id) of 29A. Its surface mount mounting and low Rds(On) test voltage of 10V make it a versatile and efficient choice for power management applications. Additionally, this product is RoHS compliant, meeting environmental standards and regulations

SI4459ADY-T1-GE3

主な特長

  • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
  • TrenchFET® Power MOSFET
  • 100 % Rg and UIS Tested
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

応用

["Adaptor Switch ", "Notebook"]

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOIC-8
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 29 A
Rds On - Drain-Source Resistance 5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 129 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 7.8 W Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET Series SI4
Brand Vishay Semiconductors Configuration Single
Fall Time 20 ns Forward Transconductance - Min 24 S
Product Type MOSFET Rise Time 16 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 80 ns
Typical Turn-On Delay Time 16 ns Part # Aliases SI4459ADY-GE3
Unit Weight 0.026455 oz

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