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SI4497DY-T1-GE3

P-channel SOIC-8 MOSFET with a voltage rating of 30V and a maximum current of 36A, featuring a low on-resistance of 3.3mΩ at 10V and 20A

在庫：7,713

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概要 SI4497DY-T1-GE3

In conclusion, the SI4497DY-T1-GE3 stands out as a reliable and versatile MOSFET option for engineers and developers looking to optimize power efficiency in their designs. Its impressive specifications and environmentally friendly construction make it a standout choice for a wide range of applications. With a focus on high performance and ease of integration, this Vishay Siliconix MOSFET is sure to exceed expectations and deliver exceptional results in any project

主な特長

  • Sophisticated gate drive architecture
  • Increased power density
  • Improved signal-to-noise ratio

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOIC-8
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 36 A
Rds On - Drain-Source Resistance 2.7 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V Qg - Gate Charge 285 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 7.8 W Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET Series SI4
Brand Vishay Semiconductors Configuration Single
Fall Time 25 ns Forward Transconductance - Min 75 S
Product Type MOSFET Rise Time 13 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 115 ns
Typical Turn-On Delay Time 19 ns Part # Aliases SI4497DY-GE3
Unit Weight 0.026455 oz

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P-channel SOIC-8 MOSFET with a voltage rating of 30V and a maximum current of 36A, featuring a low on-resistance of 3.3mΩ at 10V and 20A

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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

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