• SI7456DP-T1-E3 SO-8
SI7456DP-T1-E3 SO-8

SI7456DP-T1-E3

100V MOSFET with 9.3A current rating and 5.2W power dissipation

数量 単価(USD) 合計金額
1000 $0.719 $719.00
500 $0.733 $366.50
100 $0.762 $76.20
30 $0.828 $24.84
10 $0.886 $8.86
1 $0.991 $0.99

在庫：8,348

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概要 SI7456DP-T1-E3

The package includes important specifications like power dissipation, termination type, and voltage ratings. With a typical voltage Vds of 100V and a voltage Vgs Rds measurement of 10V, this MOSFET can handle high-power applications with ease. The SMD termination type ensures reliable connectivity in surface mount PCB designs

主な特長

  • None

    • 応用

    Primary Side Switch for High Density DC/DC |Telecom/Server 48 V, Full-/Half-Bridge DC/DC |Industrial and 42 V Automotive D

    仕様

    以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style SMD/SMT
    Package / Case PowerPAK-SO-8 Transistor Polarity N-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
    Id - Continuous Drain Current 9.3 A Rds On - Drain-Source Resistance 25 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
    Qg - Gate Charge 36 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 5.2 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI7 Brand Vishay Semiconductors
    Configuration Single Fall Time 26 ns
    Forward Transconductance - Min 35 S Height 1.04 mm
    Length 6.15 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 10 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 46 ns Typical Turn-On Delay Time 20 ns
    Width 5.15 mm Part # Aliases SI7456DP-E3
    Unit Weight 0.017870 oz

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    IXFH24N80P

    IXFH24N80P

    TO-247AD Plastic Packaged Power FET featuring 24A Drain Current, 800V Voltage Rating, N-Channel Design, and 0.4ohm On-Resistance
    DMN2990UFZ-7B

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    Overview of 20V 250mA 320mW MOSFETs: DMN2990UFZ-7B, 990mΩ@4.5V,100mA 1V@250uA N Channel X2-DFN0606-3 - ROHS
    IHW20N120R2

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    IGBT Transistors with Reverse Conducting Capabilities, 1200V 20A
    IRFZ46NPBF

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    55V Hexfet Transistor
    ARF460AG

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    00V radio frequency MOSFET
    IXFN210N20P

    IXFN210N20P

    IXFN210N20P, classified as a Power Field-Effect Transistor, boasts a high current rating of 188A and a voltage tolerance of 200V
    packageimg

    SI7456DP-T1-E3

    100V MOSFET with 9.3A current rating and 5.2W power dissipation

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