• SIS407ADN-T1-GE3 Package
SIS407ADN-T1-GE3 Package

SIS407ADN-T1-GE3

在庫あり：5,039

SIS407ADN-T1-GE3 is a high-quality Single FETs, MOSFETs from VISHAY with a operating temperature range of - 55 C ~ + 150 C

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仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case PowerPAK-1212-8 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 18 A Rds On - Drain-Source Resistance 9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 400 mV
Qg - Gate Charge 112 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 39.1 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET, PowerPAK
Series SIS Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 36 ns
Forward Transconductance - Min 70 S Height 1.04 mm
Length 3.3 mm Product Type MOSFET
Rise Time 4 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 120 ns Typical Turn-On Delay Time 12 ns
Width 3.3 mm Unit Weight 0.032487 oz

概要 SIS407ADN-T1-GE3

Introducing the SIS407ADN-T1-GE3, a high-performance small signal field-effect transistor designed for various electronic applications. With a current rating of 18A and a voltage rating of 20V, this P-channel transistor offers reliable performance. Made of silicon and utilizing metal-oxide semiconductor technology, this transistor is both HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, making it environmentally friendly. The 1212-8 POWERPAK-8 package ensures easy installation and handling

主な特長

  • Halogen-free
  • TrenchFET® Power MOSFET
  • 100 % Rg Tested
  • 100 % UIS Tested

保証と返品

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APT75GP120J

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1200V N-Channel IGBT Transistor Module
IXTH12N100L

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IXYS IXTH12N100L: 12A N-channel MOSFET Transistor, TO-247, 1000V
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N and P-Channel MOSFET with 20V Vds, 950mA and -530mA Id in SOT-363-6 package
IRF8714PBF

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IRF8714PBF complies with ROHS regulations, ensuring environmental friendliness and adherence to industry standards
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OptiMOS™ T2 N-MOSFET Transistor: unipolar, 60V, 36A, 50W
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SIS407ADN-T1-GE3 Package

SIS407ADN-T1-GE3

Product SIS407ADN-T1-GE3 is a MOSFET with P-Channel configuration and a 20V Drain-Source rating

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仕様 概要 SIS407ADN-T1-GE3 保証と返品 類似商品 人気商品

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Package

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弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。

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