SMA6010
Darlington Transistor NPN/PNP 60V 4A 4000mW 12-Pin SIP
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
1 | $1.798 | $1.80 |
200 | $0.697 | $139.40 |
500 | $0.672 | $336.00 |
1000 | $0.659 | $659.00 |
在庫:6,982
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- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : SMA6010
-
パッケージ/ケース : SIP-12
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メーカー : SANKEN ELECTRIC CO., LTD
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コンポーネントの分類 : Bipolar Transistor Arrays
-
日付シート : SMA6010 データシート (PDF)
-
Series : SMA60
概要 SMA6010
Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 4A 75MHz 4W Through Hole 12-SIP
主な特長
- Reliable and durable construction
- Low power consumption
- Easy installation
- Fault-tolerant operation
応用
- \n
- Flexible applications - for versatility \n
- Customizable features - for tailored solutions \n
- Innovative solutions - for modern needs \n
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
ECCN (US) | EAR99 | Part Status | Active |
Automotive | No | PPAP | No |
Type | NPN|PNP | Configuration | Hex |
Number of Elements per Chip | 6 | Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 | Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 2@6mA@3A | Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 4 |
Maximum Collector Cut-Off Current (uA) | 10 | Typical Current Gain Bandwidth (MHz) | 75@NPN|200@PNP |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5@6mA@3A | Minimum DC Current Gain | 2000@3000mA |
Maximum Power Dissipation (mW) | 4000 | Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | Mounting | Through Hole |
Package Height | 10.2 | Package Width | 4 |
Package Length | 31 | PCB changed | 12 |
Standard Package Name | SIP | Supplier Package | SIP |
Pin Count | 12 | Lead Shape | Through Hole |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー ?
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返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包 ?
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
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NST45010MW6T1G
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This MOSFET, designated as IXFK90N20, has a maximum voltage rating of 200V and a current rating of 90A

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SMA6010
Darlington Transistor NPN/PNP 60V 4A 4000mW 12-Pin SIP
在庫:
6,982
保証と返品
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支払い
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