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SSM3J351R,LF

MOSFET optimized for small-signal operation, featuring -3.5A drain current and -60V drain-source voltage capability

在庫：8,567

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概要 SSM3J351R,LF

For those in need of a high-performance N-channel MOSFET transistor for their portable devices, the SSM3J351R,LF from Toshiba Semiconductor and Storage is worth considering. This transistor boasts a low on-resistance of 60mOhm, ensuring efficient power management and reduced power loss in circuitry. With a maximum drain current rating of 3A, it is suitable for various low to medium power applications. Moreover, its maximum gate threshold voltage of 2V allows for easy control with logic level signals. The compact and lightweight SOT-23F package makes the SSM3J351R,LF space-efficient and easily integrable into small electronic devices. What's more, the transistor is RoHS compliant, meeting environmental regulations for lead-free manufacturing

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23F-3 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 3.5 A Rds On - Drain-Source Resistance 164 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 10 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 800 mV
Qg - Gate Charge 15.1 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2 W
Channel Mode Enhancement Qualification AEC-Q101
Tradename U-MOSVI Series SSM3J351R
Brand Toshiba Configuration Single
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 100 ns Typical Turn-On Delay Time 32 ns
Unit Weight 0.000388 oz

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BFU690F,115

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Silicon RF Transistor NPN Wideband
IRFR2405PBF

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56 A, 55 V HEXFET
BC640TA

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Frequency Response: 100MHz
MAPRST0912-50

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RF Bipolar Transistors 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
DMP3028LK3-13

DMP3028LK3-13

P-Channel Silicon Metal-Oxide Semiconductor FET (MOSFET) capable of handling up to 27A current with a 30V voltage rating, exhibiting a 0
T3035H-6I

T3035H-6I

Bidirectional Thyristor 600V 35mA 60mA
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SSM3J351R,LF

MOSFET optimized for small-signal operation, featuring -3.5A drain current and -60V drain-source voltage capability

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