STGF10NB60SD
Transistor IGBT 600V 23A N-Channel 25W TO-220FP Package
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 1000 | $0.914 | $914.00 |
| 500 | $0.941 | $470.50 |
| 100 | $1.001 | $100.10 |
| 50 | $1.136 | $56.80 |
| 10 | $1.255 | $12.55 |
| 1 | $1.473 | $1.47 |
在庫：8,336
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
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部品番号 : STGF10NB60SD
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パッケージ/ケース : TO-220
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メーカー : STMicroelectronics NV
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コンポーネントの分類 : Single IGBTs
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日付シート : STGF10NB60SD データシート (PDF)
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Series : STGF10NB60SD
概要 STGF10NB60SD
This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).
主な特長
- High-speed switching and low loss
- Suitable for high-frequency applications
- Low capacitance and high surge current rating
応用
- Telecommunications devices
- Off-grid solutions
- Battery management
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Operating Temp Min Celsius | -65.0 | Operating Temp Max Celsius | 150.0 |
| ECCN US | EAR99 | ECCN EU | NEC |
| Packing Type | Tube | RoHs compliant | Ecopack2 |
| Grade | Industrial | Package Name | TO-220FP |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー ?
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
-
配送と梱包 ?
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い ?
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
BSC046N10NS3GATMA1
100V, 100A N-channel MOSFET enclosed in a TDSON-8 package
BU508AF
Suitable for industrial automation, motor control, and power supply applications
D44H11
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
DMP2165UW-7
Established French Electronics Provider
FDD6680AS
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
FDMS86101
Power MOSFET with N-channel configuration, designed for operation at 100V voltage, capable of carrying currents up to 12
FDS6688
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
NTGS3136PT1G
MOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR
IMZ1AT108
Small signal bipolar transistor with 0.15A collector current and 50V collector-emitter breakdown voltage, consisting of NPN and PNP silicon elements
MJE1661
Reliable MJE1661 power transistors for efficient power management
SIHB12N60E-GE3
This MOSFET, with a null threshold voltage of 4V at 250uA, ensures precise control and efficient performance in various applications
BC560CG
With a gain of 380 at 2mA and a voltage rating of 5V, BC560CG is a reliable transistor
DMP4051LK3
With a focus on optimization, this MOSFET is crafted to mitigate on-state resistance
STGF10NB60SD
Transistor IGBT 600V 23A N-Channel 25W TO-220FP Package
在庫：
8,336
保証と返品
After Sales Service
どのようなアフターサービスが提供されますか?
当社が提供するすべてのコンポーネントに対して、365 日間の延長品質保証期間を設けています。返品または交換が必要になった場合は、以下のガイドラインに従ってください。:
·商品の発送日から 90 日以内にリクエストを開始してください。
·当社のチームと返品または交換を調整してください。
·商品は、配送時の元の状態のままにしておいてください。
·商品の返品または交換の実現可能性は、返品時の実際の状態の評価に左右されることに注意してください。
Shipping
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Package
輸送中に部品が損傷を受けないようにするにはどうすればよいですか?
弊社が発送する商品は帯電防止バッグに梱包され、ESD 帯電防止が保証されます。また、外装は優れた耐久性と密閉性を誇ります。テープとリール、カットテープ、チューブ、トレイなど、お客様のニーズに合わせた梱包オプションをご用意しています。
支払い
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