ZVP3310F
P-channel MOSFET with a continuous drain current of 75mA and a source voltage of -100V, featuring an on resistance of 20ohm
在庫:8,326
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部品番号 : ZVP3310F
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別名 : ZVP3310FTA
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パッケージ/ケース : SOT23
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メーカー : Diodes Incorporated
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コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : ZVP3310F データシート (PDF)
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Series : ZVP3310
概要 ZVP3310F
The ZVP3310F is a P Channel MOSFET transistor with a continuous drain current of 0.075A and an on resistance of 20ohm. It comes in a SOT-23 package with surface mount termination and has a power dissipation of 0.33W. This transistor is suitable for use in RoHS compliant applications and has a maximum pulse current of 1.2A
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Series | ZVP3310 | Brand | Diodes Incorporated |
Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 1 |
Subcategory | MOSFETs |
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ZVN4206GTA
ZVN4206GTA, which is a N-channel MOSFET with 60 volts rating

ZVP2106GTA
Product ZVP2106GTA is a P Channel MOSFET with a voltage rating of 60V and a current rating of 450mA

ZVN2120G
Mode N-Channel MOSFET

ZVN4106F
Described as a MOSFET discrete semiconductor

ZVN4306A
MOSFET N-Chnl 60V

ZVN4310G
With its SOT223 packaging, this MOSFET offers a compact and reliable solution for circuit designs that require N-channel power transistors

ZVP2106G
0.45A I(D), 60V, 5ohm, 1-Element

SIHF22N60E-GE3
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

IPP051N15N5AKSA1
N-channel MOSFET, capable of handling up to 150V and 120A, presented in a TO-220-3 package, designated as IPP051N15N5AKSA1 by INFINEON

SIR638DP-T1-GE3
Power MOSFET engineered for efficient power management

AT-41533-TR1G
41533-TR1G RF Transistor Bipolar Si

RFD8P05
Power P-Ch MOSFET TO-251AA

CSD17382F4T
This MOSFET has a power dissipation of 500mW at 8V and a VGS(th) of 1.2V at 250uA

ZVP3310F
P-channel MOSFET with a continuous drain current of 75mA and a source voltage of -100V, featuring an on resistance of 20ohm
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