MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM

DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) は、2000 年代初頭に SDRAM の後継として導入されました。 これは、クロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方でデータを転送できるようにすることでメモリ モジュールのパフォーマンスを向上させるために開発され、SDRAM と比較してデータ転送速度を効果的に 2 倍にします。 DDR テクノロジーの第 4 世代である DDR4 SDRAM は 2014 年に導入されました。これは、より高いデータ転送速度、より低い動作電圧、電力効率の向上など、前世代の DDR3 に比べていくつかの進歩をもたらしました。 DDR4 には、メモリ密度の向上やエラー検出および訂正機能の向上などの新機能も導入されました。 これらの進歩により、DDR4 は最新のコンピューティング システムにとって推奨される選択肢となり、幅広いアプリケーションのパフォーマンスと効率が向上しました。 MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM は、現代のエレクトロニクスにおいて重要な役割を果たす最先端のメモリ モジュールです。 この記事では、MT40A512M16LY-075:E DDR4 の機能、ピン構成、アプリケーション、データシート、およびこの DDR4 SDRAM モジュールの詳細について説明します。

MT40A512M16LY-075:E の概要

MT40A512M16LY-075:E は、高速パフォーマンスと信頼性で知られる DDR4 SDRAM の特定モデルです。 内部的には 8 つのバンクで構成されており、高速動作のために 8n プリフェッチ アーキテクチャを利用しているため、インターフェイスは I/O ピンでクロック サイクルごとに 2 つのデータ ワードを転送できます。 MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM の 1 回の READ または WRITE 操作は、内部 DRAM コアでの 1 回の 8n ビット幅、4 クロック データ転送と、対応する 2 つの n ビット幅、1/2 クロック サイクル データで構成されます。 I/O ピンでの転送。 この DDR4 SDRAM は、以前の DDR3 テクノロジーと比較して、データ転送速度の向上、信頼性の向上、消費電力の低減を実現します。 そのパフォーマンスと信頼性により、デスクトップ コンピュータからサーバー、ネットワーク機器に至るまで、幅広いアプリケーションでの使用に適しています。

MT40A512M16LY-075:Eの特長

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
• VPP = 2.5V、-125mV、+250mV
• オンダイ、内部、調整可能な VREFDQ 生成
• 1.2V擬似オープンドレインI/O
• TC 温度範囲での 8192 サイクルのリフレッシュ時間:
  - -40°C ～ 85°C で 64ms
  - 85°C ～ 95°C で 32ms
  - 95°C ～ 105°C で 16ms
• 8 つの内部バンク: それぞれ 4 つのバンクからなる 2 つのグループ
• 8nビットプリフェッチアーキテクチャ
• プログラム可能なデータストローブプリアンブル
• データストロボプリアンブルトレーニング
• コマンド/アドレス遅延 (CAL)
• 多目的レジスタの読み取りおよび書き込み機能。
• ライトレベリング
• セルフリフレッシュモード
• 低電力自動セルフリフレッシュ (LPASR)
• 温度制御リフレッシュ (TCR)
• 細かい粒度のリフレッシュ
• セルフリフレッシュの中止
• 最大限の省電力化
• 出力ドライバーのキャリブレーション
• 公称、パーク、および動的オンダイ終端 (ODT)
• データバス用のデータバス反転 (DBI)
• コマンド/アドレス (CA) パリティ
• データバス書き込み巡回冗長検査 (CRC)
• DRAM ごとのアドレス指定可能性
• 接続テスト
• JEDEC JESD-79-4準拠
• sPPR および hPPR 機能
• MBIST-PPR サポート (ダイ リビジョン R のみ)
   

MT40A512M16LY-075:E 仕様

MT40A512M16LY-075:E 機能ブロック図

MT40A512M16LY-075:E ピン配置

MT40A512M16LY-075:E CADモデル

MT40A512M16LY-075 E記号

MT40A512M16LY-075 E フットプリント

MT40A512M16LY-075 E 3Dモデル

MT40A512M16LY-075:E 簡略化された状態図

MT40A512M16LY-075:E の仕組み

MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM は、x4/x8 デバイス用に 16 バンク (各バンク グループに 4 つのバンクを含む 4 つのバンク グループ) と各バンク グループに 8 つのバンク (バンク グループごとに 2 つのバンク) で内部構成された高速ダイナミック ランダム アクセス メモリです。 x16 デバイスの場合は、それぞれ 4 つのバンクを持つバンク グループ)。 ダブルデータレート（DDR）アーキテクチャを採用し、高速動作を実現します。 DDR4 アーキテクチャは、I/O ピンでクロック サイクルごとに 2 つのデータ ワードを転送するように設計されたインターフェイスを備えた 8n プリフェッチ アーキテクチャです。 デバイス モジュールに対する 1 回の読み取りまたは書き込みアクセスは、内部 DRAM コアでの 1 回の 8n ビット幅、4 クロック サイクルのデータ転送と、対応する 8 回の n ビット幅、1/2 クロック サイクルで構成されます。 I/O ピンでのデータ転送。

デバイスへのアクセスはバースト指向であり、選択された位置から開始され、プログラムされたシーケンスで 8 つのバースト長または 4 つのチョップド バーストの間継続されます。 操作は ACTIVE コマンドの登録から始まり、次に READ または WRITE コマンドが続きます。 ACTIVE コマンドと同時に登録されたアドレス ビットは、アクセスするバンクと行を選択するために使用されます (BG[1:0] は x4/x8 のバンク グループを選択し、BG0 は x16 のバンク グループを選択します。BA[1:0] ] でバンクを選択し、A[17:0] で行を選択します。

READ または WRITE コマンドと同時に登録されたアドレス ビットは、バースト動作の開始列位置の選択、自動 PRECHARGE コマンドを発行するかどうかの決定 (A10 経由)、および BC4 または BL8 モードのオンザフライの選択に使用されます。 (OTF) (A12 経由) モード レジスタで有効な場合。

通常の操作の前に、デバイスの電源を入れ、事前定義された方法で初期化する必要があります。 次のセクションでは、デバイスのリセットと初期化、レジスタ定義、コマンドの説明、デバイスの操作について詳しく説明します。

注: NOP コマンドの使用は、最大省電力モードを終了するとき、またはギアダウン モードに入るときのみ許可されます。

MT40A512M16LY-075:E の性能と耐久性
 

A. MT40A512M16LY-075:E の読み取りおよび書き込み速度

MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM モジュールは、1600 MT/s ～ 3200 MT/s の範囲の読み取りおよび書き込み速度の高速データ転送速度を提供します。 これらの速度により、データへの迅速なアクセスと、高性能コンピューティング環境での効率的な操作が保証されます。

B. MT40A512M16LY-075:E の耐久定格と寿命

MT40A512M16LY-075:E を含む DDR4 SDRAM モジュールは、高い耐久性と信頼性を提供するように設計されています。 これらは通常、多数の書き込みサイクルに対して評価されており、過酷な使用条件下でも長寿命を保証します。 正確な耐久性定格は、特定のモジュールやメーカーの仕様によって異なる場合があります。

C. パフォーマンスと耐久性に影響を与える要因

MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM モジュールのパフォーマンスと耐久性に影響を与える可能性がある要因は次のとおりです。

• 動作温度: 温度が高くなるとパフォーマンスと寿命が低下する可能性があるため、適切な冷却が不可欠です。
• 電圧と電源品質: 電圧の変動や電源品質の低下は、安定性と寿命に影響を与える可能性があります。
• ワークロードと使用パターン: 重いワークロードや継続的な使用は、モジュールの寿命に影響を与える可能性があります。
• 環境条件: 湿気、ほこり、その他の汚染物質にさらされると、パフォーマンスと寿命に影響を与える可能性があります。
   

最適なパフォーマンスと寿命を確保するには、MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM モジュールを指定された動作条件内で動作させることが重要です。

MT40A512M16LY-075:Eのメリット
 

パフォーマンスと速度の向上

DDR4 SDRAM は、以前のものと比較してパフォーマンスと速度が向上し、より高速なデータ アクセスと処理が可能になります。 これは、より高いクロック速度と改善されたデータ転送速度によって実現されます。

より高い帯域幅

DDR4 SDRAM は DDR3 に比べて高い帯域幅を提供し、より多くのデータを同時に転送できます。 これにより、特に高いデータ スループットを必要とするアプリケーションにおいて、システム全体のパフォーマンスが向上します。

消費電力の低減

DDR4 SDRAM は DDR3 と比較して低い電圧で動作するため、消費電力が低くなります。 これにより、DDR4 のエネルギー効率が向上し、電子デバイスの発熱が軽減され、モバイル デバイスのバッテリ寿命が長くなり、データ センターのエネルギー コストが削減されます。

信頼性と安定性の向上

DDR4 SDRAM には、改善されたエラー検出および訂正機能などの機能が含まれており、メモリ動作の信頼性と安定性が向上します。 これにより、データの破損やシステムのクラッシュが防止され、より信頼性の高いコンピューティング エクスペリエンスが実現します。

MT40A512M16LY-075:E アプリケーション
 

デスクトップおよびラップトップコンピュータでの使用

MT40A512M16LY-075:E は、その高速パフォーマンスと信頼性により、デスクトップおよびラップトップ コンピュータで一般的に使用されています。 これにより、システム全体のパフォーマンスが向上し、より高速なデータ アクセスと処理が可能になります。

サーバーおよびデータセンターでのアプリケーション

MT40A512M16LY-075:E は、その高容量と信頼性によりサーバーやデータセンターで使用されています。 これによりサーバーのパフォーマンスが向上し、大量のデータを効率的に処理できるようになります。

ネットワーク機器の導入

MT40A512M16LY-075:E は、高速データ転送機能により、ルーターやスイッチなどのネットワーク機器にも使用されます。 ネットワーク デバイスのパフォーマンスと信頼性を向上させ、スムーズなデータ転送を保証します。

MT40A512M16LY-075:E パッケージ

MT40A512M16LY-075:E メーカー

Micron Technology, Inc. (通称 Micron) は、メモリおよびストレージ ソリューションを専門とする半導体業界の世界的リーダーです。 同社は、DRAM、NAND フラッシュ メモリ、SSD など、コンピューティング、ネットワーキング、自動車、モバイル デバイスなどのさまざまなアプリケーションに対応する幅広い製品を提供しています。 マイクロンは、技術革新への取り組みで知られており、今日のテクノロジー主導の世界の厳しい要件を満たす高性能、高品質の製品を一貫して提供しています。 研究開発に重点を置くマイクロンは、半導体技術の限界を押し広げ、メモリおよびストレージ ソリューションの進歩を推進し続けています。

MT40A512M16LY-075:E データシート

MT40A512M16LY-075:E データシート PDF をダウンロードします。

結論

結論として、MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM は高速パフォーマンス、信頼性、効率を提供し、幅広いアプリケーションにとって理想的な選択肢となります。 MT40A512M16LY-075:E は、パフォーマンスと速度の向上、帯域幅の拡大、消費電力の低減、信頼性と安定性の向上により、デスクトップおよびラップトップ コンピュータ、サーバー、データ センター、およびネットワーク機器のパフォーマンスを向上させることができる多用途メモリ モジュールです。 。 その高度な機能と利点により、最新のコンピューティング システムの貴重なコンポーネントとなり、全体的な効率とパフォーマンスに貢献します。